公开(公告)号：CN1670958A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510003665.9

申请日：2005-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  马东俊 ,  崔圣圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。

公开(公告)号：CN100502009C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510003665.9

申请日：2005-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  马东俊 ,  崔圣圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。

公开(公告)号：CN1825628A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN1614746A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410089772.3

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大一 ,  马东俊 ,  金国闰 ,  崔圣圭

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明公开了一种螺旋谐振器等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；设置在处理室上以便与处理室的内部空间相连通的介电管；围绕介电管的外管缠绕的螺旋线圈；以及向螺旋线圈供给RF功率的RF电源。介电管为双管形式，包括内管和外管。而在外管内设置等离子体源气体入口，用以将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内。在介电管内设置控制电极，用以控制等离子体电势。这种等离子体处理设备提供了沿晶片径向的均匀等离子体密度分布，并易于控制处理室内的等离子体电势。

公开(公告)号：CN100530691C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN100423196C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410089772.3

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大一 ,  马东俊 ,  金国闰 ,  崔圣圭

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明公开了一种螺旋谐振器等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；设置在处理室上以便与处理室的内部空间相连通的介电管；围绕介电管的外管缠绕的螺旋线圈；以及向螺旋线圈供给RF功率的RF电源。介电管为双管形式，包括内管和外管。而在外管内设置等离子体源气体入口，用以将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内。在介电管内设置控制电极，用以控制等离子体电势。这种等离子体处理设备提供了沿晶片径向的均匀等离子体密度分布，并易于控制处理室内的等离子体电势。