公开(公告)号：CN1574360B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200410064057.4

申请日：2004-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡洙杜 ,  郑渊硕

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明公开了一种具有纳米晶体层的SONOS存储器件。该SONOS存储器件包括存储型晶体管，该存储型晶体管包括在半导体衬底上具有SONOS结构的栅极。该栅极由隧道氧化物层、具有在其中俘获穿过隧道氧化物层的电荷的俘获位置的存储节点层、以及栅极电极形成。存储节点层包括由彼此分开的纳米晶体构成的晶体层以俘获电荷。

公开(公告)号：CN100530692C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610006120.8

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  白圣权 ,  崔相武

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/167 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。

公开(公告)号：CN100376031C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200410002585.7

申请日：2004-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳远壹 ,  李兆远 ,  尹世煜 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器件及其制造方法。该SONOS存储器件包括半导体衬底、淀积在半导体衬底上的绝缘层、形成在绝缘层的预定区域并且被分为源区、漏区和沟道区的有源层、形成在沟道区一侧的第一侧栅叠层和形成在第一侧栅叠层相对侧的第二侧栅叠层。由于在每个SONOS存储器件中至少存储两位数据，因此相对于包含在SONOS存储器件中的存储节点的布局，与常规的SONOS存储器件相比，可以将半导体存储器件的集成密度提高1.5-2倍。

公开(公告)号：CN1670958A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510003665.9

申请日：2005-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  马东俊 ,  崔圣圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。

公开(公告)号：CN1638130A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003961.9

申请日：2005-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡熙顺 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/792

Abstract: 为了存储器的稳定性和更高的运行速度，本发明提供一种半导体存储器及其制造方法。该存储器包括：在半导体基板上形成的一栅极叠层结构；通过掺杂导电杂质，在栅极叠层结构每边的旁边和半导体基板上形成第一和第二杂质区，第一和第二杂质区之间具有沟道区域；以及在第一或第二杂质区旁边的半导体区域上形成一接触层。

公开(公告)号：CN1585132A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410079460.4

申请日：2004-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  李兆远 ,  金汶庆

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0466

Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。

公开(公告)号：CN100555636C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200510131729.3

申请日：2005-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶庆 ,  李兆运 ,  朴允童 ,  金桢雨

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明涉及一种包括公共栅极的互补金属氧化物半导体(CMOS)薄膜晶体管、包括CMOS晶体管的逻辑器件、及CMOS薄膜晶体管的制造方法。在一个实施例中，CMOS薄膜晶体管包括基衬底和形成于基衬底上的半导体层。P沟道晶体管和N沟道晶体管形成于单一半导体层上以彼此相交且公共栅极形成于相交的区域。另外，肖特基势垒感应材料层形成于P沟道晶体管的源极和漏极上。

公开(公告)号：CN100483716C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410076664.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282

Abstract: 提供一种SONOS存储装置及其制造方法。SONOS存储装置包括基材以及形成在该基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。多功能装置包括第一和第二杂质区、形成在第一和第二杂质区之间的沟道、以及形成在沟道上用于数据存储的堆栈材料。用于数据存储的堆栈材料是通过依次将隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、阻挡层、以及电极层堆叠而成。

公开(公告)号：CN1317768C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200310113815.2

申请日：2003-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  李兆远 ,  姜虎圭 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/02 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L29/7926 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明提供一种利用垂直纳米管的非易失性存储装置。该存储装置包括具有源区的衬底；纳米管阵列，其由垂直生长在所述衬底上的多个纳米管柱状体组成，使得所述纳米管阵列的一端与所述源区连接，由此用作电子传输沟道；存储单元，其围绕所述纳米管阵列的外侧表面形成；控制栅极，其围绕所述存储单元的外侧表面形成；以及漏区，其与所述纳米管阵列的另一端连接。

公开(公告)号：CN1841683A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。