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公开(公告)号：CN1638130A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003961.9
申请日：2005-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L29/4908 , H01L29/78615 , H01L29/792
Abstract: 为了存储器的稳定性和更高的运行速度，本发明提供一种半导体存储器及其制造方法。该存储器包括：在半导体基板上形成的一栅极叠层结构；通过掺杂导电杂质，在栅极叠层结构每边的旁边和半导体基板上形成第一和第二杂质区，第一和第二杂质区之间具有沟道区域；以及在第一或第二杂质区旁边的半导体区域上形成一接触层。
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公开(公告)号：CN1385904A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02100922.8
申请日：2002-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/772 , H01L21/82
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/7888
Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底,以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层,在下层上形成的单电子储存介质,用来储存隧穿通过下层的单个电子,一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层,以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。
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公开(公告)号：CN1490876A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03108490.7
申请日：2003-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L21/28194 , B82Y10/00 , G11C16/0475 , G11C2216/06 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7885 , H01L29/7887 , H01L29/7888
Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一IV族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。
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公开(公告)号：CN1881592B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610106197.2
申请日：2006-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , G11C16/02
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C16/04 , G11C29/50 , G11C29/50004
Abstract: 本发明提供一种编程硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)存储器件的方法。该SONOS存储器件包括衬底、在衬底上间隔开的第一和第二杂质区域、形成在第一和第二杂质区域之间该衬底上方的栅氧化物层、形成在栅氧化物层上方的俘获层、形成在俘获层上方的绝缘层、和形成在绝缘层上方的栅电极。编程SONOS器件的方法包括通过将第一电压施加到第一杂质区域、将栅电压施加到栅电极、和将第二电压施加到第二杂质区域来将数据写入到SONOS存储器件，其中第一电压是正电压，第二电压是负电压，该SONOS存储器件是电子在写入时被俘获在俘获层中的N+型存储器件。
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公开(公告)号：CN1326244C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03108490.7
申请日：2003-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L21/28194 , B82Y10/00 , G11C16/0475 , G11C2216/06 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7885 , H01L29/7887 , H01L29/7888
Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一Ⅳ族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1734773A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510092281.9
申请日：2005-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5621 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系。
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公开(公告)号：CN1607668A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410095200.6
申请日：2004-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L21/8242
CPC classification number: G11C16/0475 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。
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公开(公告)号：CN1734773B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200510092281.9
申请日：2005-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5621 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系，其中所述第二非易失性存储器被翻转，使得所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的底部彼此相对，且所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的顶部在所述底部之间彼此面对。
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公开(公告)号：CN1881592A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610106197.2
申请日：2006-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , G11C16/02
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C16/04 , G11C29/50 , G11C29/50004
Abstract: 本发明提供一种编程硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)存储器件的方法。该SONOS存储器件包括衬底、在衬底上间隔开的第一和第二杂质区域、形成在第一和第二杂质区域之间该衬底上方的栅氧化物层、形成在栅氧化物层上方的俘获层、形成在俘获层上方的绝缘层、和形成在绝缘层上方的栅电极。编程SONOS器件的方法包括通过将第一电压施加到第一杂质区域、将栅电压施加到栅电极、和将第二电压施加到第二杂质区域来将数据写入到SONOS存储器件，其中第二电压是负电压。
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公开(公告)号：CN1189943C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02100922.8
申请日：2002-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/772 , H01L21/82
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/7888
Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底，以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层，在下层上形成的单电子储存介质，用来储存隧穿通过下层的单个电子，一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层，以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。
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