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公开(公告)号：CN1385904A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02100922.8
申请日：2002-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/772 , H01L21/82
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/7888
Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底,以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层,在下层上形成的单电子储存介质,用来储存隧穿通过下层的单个电子,一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层,以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。
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公开(公告)号：CN1189943C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02100922.8
申请日：2002-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/772 , H01L21/82
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/7888
Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底，以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层，在下层上形成的单电子储存介质，用来储存隧穿通过下层的单个电子，一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层，以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。
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公开(公告)号：CN1162911C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN01117737.3
申请日：2001-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , G11C11/4197 , G11B9/00
Abstract: 采用碳素物质的可重写数据存储器，通过控制施加在悬臂尖电极头和导电层之间的电压，利用在导电层上电化学反应引起的电流写入或擦除由碳素物质代表的信息。此外还由所施加的电压的幅值或者持续施加时间，控制代表信息的碳素物质的尺寸。
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公开(公告)号：CN1242482C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02101806.5
申请日：2002-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/82 , G11C11/412 , G11C16/04
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 提供了一种存储器器件，包括具有RAM和ROM功能的一个单独的晶体三极管及其操作与制造方法。本存储器器件包括形成于基底之上的一个单独的晶体三极管。该晶体三极管是一个存储器晶体三极管，它具有一个栅极，连同一个非易失性存储器单元，或者在介于晶体三极管与基底之间形成非易失性存储器单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094457B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310042791.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , G02B6/0073 , H01L33/483 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48227 , H01L2224/4554
Abstract: 一种用于背光单元的侧面发光LED封装件，包括：封装件本体，其包括具有倾斜内侧壁的腔室；第一和第二引线框架，其布置在框架本体中，该封装件本体的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引线框架中的至少一个的一部分暴露于外部；发光二极管芯片，其安装在所述腔室的底部，以电连接至第一和第二引线框架；以及透明密封剂，其布置在围绕发光二极管芯片的腔室中。腔室具有的深度大于发光二极管芯片的安装高度，且不超过该安装高度的六倍。侧壁的高度被缩短，以改进发射光的光束孔径角特性、增加光通量、并防止侧壁的模塑缺陷。
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公开(公告)号：CN1365152A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN02101806.5
申请日：2002-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 提供了一种存储器器件,包括具有RAM和ROM功能的一个单独的晶体三极管及其操作与制造方法。本存储器器件包括形成于基底之上的一个单独的晶体三极管。该晶体三极管是一个存储器晶体三极管,它具有一个栅极,连同一个非易失性存储器单元,或者在介于晶体三极管与基底之间形成非易失性存储器单元。
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公开(公告)号：CN102444823B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110281357.8
申请日：2011-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F21V17/02 , F21K9/20 , F21K9/69 , F21V5/04 , F21V5/045 , F21V14/06 , F21V17/12 , F21V29/504 , F21V29/507 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明提供一种照明装置。该照明装置包括：光源模块，安装在基板上；透镜单元，设置在光源模块上，并包括容纳光源模块的容纳凹槽；外壳单元，将透镜单元容纳在外壳单元中，以保护透镜单元免受外部影响；支撑单元，固定到基板并包括结合孔，该结合孔使外壳单元结合到支撑单元，从而支撑外壳单元；高度调节单元，允许外壳单元竖直可动地结合到支撑单元，并调节透镜单元的高度，从而改变透镜单元的高度。
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公开(公告)号：CN103094457A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310042791.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , G02B6/0073 , H01L33/483 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48227 , H01L2224/4554
Abstract: 一种用于背光单元的侧面发光LED封装件，包括：封装件本体，其包括具有倾斜内侧壁的腔室；第一和第二引线框架，其布置在框架本体中，该封装件本体的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引线框架中的至少一个的一部分暴露于外部；发光二极管芯片，其安装在所述腔室的底部，以电连接至第一和第二引线框架；以及透明密封剂，其布置在围绕发光二极管芯片的腔室中。腔室具有的深度大于发光二极管芯片的安装高度，且不超过该安装高度的六倍。侧壁的高度被缩短，以改进发射光的光束孔径角特性、增加光通量、并防止侧壁的模塑缺陷。
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公开(公告)号：CN1323066A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01117737.3
申请日：2001-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , G11C11/4197
Abstract: 采用碳素物质的可重写数据存储器,通过控制施加在悬臂尖电极头和导电层之间的电压,利用在导电层上电化学反应引起的电流写入或擦除由碳素物质代表的信息。此外还由所施加的电压的幅值或者持续施加时间,控制代表信息的碳素物质的尺寸。
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