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发明公开
含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法失效

公开(公告)号：CN1365152A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN02101806.5

申请日：2002-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳仁璟 , 金炳晚

IPC: H01L27/10 , H01L21/82

CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/7881

Abstract: 提供了一种存储器器件,包括具有RAM和ROM功能的一个单独的晶体三极管及其操作与制造方法。本存储器器件包括形成于基底之上的一个单独的晶体三极管。该晶体三极管是一个存储器晶体三极管,它具有一个栅极,连同一个非易失性存储器单元,或者在介于晶体三极管与基底之间形成非易失性存储器单元。

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