公开(公告)号：CN109037222A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC分类号： H01L27/11551

CPC分类号： H01L29/7887 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/54 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5612 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L27/11551

摘要： 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN108962899A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710386417.X

申请日：2017-05-26

申请人： 智瑞佳(苏州)半导体科技有限公司

发明人： 朱明皓 ,  李瑞钢

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/42332

摘要： 本发明揭示了一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制备方法，包括栅极层(1)、衬底层(4)和位于栅极层(1)与衬底层(4)之间的浮栅层(5)，在栅极层(1)与浮栅层(5)之间、以及浮栅层(5)与衬底层(4)之间分别设有氧化层(3)，其特征在于：所述浮栅层(5)分成若干块子浮栅层(7)，且相邻两块子浮栅层(7)之间填充有绝缘介质(8)。本发明旨在增强多次可编程(MTP)存储单元的可靠性，减小老化对浮栅器件的影响，提升器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN103247337B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310046386.5

申请日：2013-02-05

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 吕函庭 ,  郭明昌 ,  谢志昌 ,  张国彬 ,  萧逸璿

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： H01L27/1157 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明具有分段字线的热辅助闪存公开了一种存储器，其包括一阵列的存储器单元，存储器单元包括数行与数列，该阵列包括多条沿着列的分段字线。分段字线的所述段包括多条局部字线。多个第一开关与多个第二开关耦接至所述局部字线的对应第一与第二端。存储器包括电路，其耦接至第一与第二开关以连接多个偏压至所述局部字线，用以引发电流供热退火。该电路包括沿着对应的列的多对全局字线，多对全局字线包括：第一全局字线，于沿着相对应的列的局部字线上耦接至第一开关；及第二全局字线，于沿着相对应的列的局部字线上耦接至第二开关。存储器包括沿着对应的行的多条位线，其包括近端位线，耦接至全局位线。

公开(公告)号：CN106409834A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510618655.X

申请日：2015-09-24

申请人： 纳米及先进材料研发院有限公司

发明人： 孙彩明 ,  赵春 ,  王嘉俊

IPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/513 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42332 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42364

摘要： 为了研究可印刷的纳米浮栅晶体管，提出了尺寸小于30nm的Si/SiO2核/壳纳米结构,其可作为UV固化的有机-无机杂化栅电介质中的电荷俘获点。本发明的新颖性来自于通过溶胶-凝胶法在低温下制备高质量的有机/无机杂化栅电介质层，和还在此电介质层中引入由高密度的硅纳米颗粒形成的单层结构。此纳米结构与电介质材料无明显界面缺陷，保持高品质的电介质层。通过对电介质层进行UV固化附加低温热固化的处理，从杂化电介质中成功移除了固定电荷俘获缺陷。仅与由Si/SiO2核/壳纳米结构形成的电荷俘获层相关的移动电荷清晰地展示了印制电子器件的电荷存储效应。每个硅纳米颗粒表面均匀的二氧化硅薄壳充当闪存器件的隧道层，简化了印制纳米浮栅存储器件的制备。

公开(公告)号：CN104752358A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310745691.3

申请日：2013-12-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 宁先捷

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/778

摘要： 一种闪存器件及其形成方法，其中所述闪存器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括若干平行的第一区域和位于第一区域一端的第二区域；位于半导体衬底的第一区域上的若干浮栅，相邻浮栅之间具有第一开口；位于第一开口的侧壁和底部以及浮栅的表面的控制栅介质层；位于控制栅介质层上的控制栅，控制栅填充满第一开口；位于半导体衬底的第二区域上的选择栅，所述选择栅的顶部表面与控制栅的底部表面齐平。本发明的闪存器件的性能提高。

公开(公告)号：CN102460706B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080027498.0

申请日：2010-04-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杜尚·葛鲁伯维奇

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： 一种存储器单元(100)包括一晶体管，晶体管包括：一基板(101)；一第一源极/漏极区(102)；一第二源极/漏极区(112)；一栅极(104)；及一栅极绝缘层(103)，设置于基板(101)及栅极(104)之间；其中栅极绝缘层(103)直接接触基板(101)且包括多个电荷陷阱(131)，该多个电荷陷阱(131)分布于栅极绝缘层(101)整个体积。

公开(公告)号：CN102037547B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980115727.1

申请日：2009-04-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 贾奈许·B·P·寇朱普瑞克 ,  温·贝斯林 ,  乔罕·H·克鲁托克 ,  罗伯图斯·A·M·沃尔特 ,  弗莱迪·卢兹本

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7883

摘要： 本发明揭示一种于半导体装置(300)的额外层(114，320)上形成介电层(300)的方法。该方法包括于额外层(114，320)上方沉积介电前驱化合物和额外前驱化合物，介电前驱化合物包括择自由钇系元素和镧系元素组成的族群的金属离子，且额外前驱化合物包括择自由第四族金属和第五族金属组成的族群的金属离子；将介电前驱化合物和额外前驱化合物分别化学转变为介电化合物和额外化合物，额外化合物于转变期间自我组装为多个纳米丛集核心(335)，位于由上述介电前驱化合物形成的上述介电层(330)内。因此形成具有优异电荷捕捉能力的一介电层。这一种介电层特别适合用于例如非易失性存储器的半导体装置。

公开(公告)号：CN103681806A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310412779.3

申请日：2013-09-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴洸珉 ,  金秉柱 ,  尹柱美 ,  安宰永

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926 ,  H01L29/1033

摘要： 本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置具有竖直沟道并包括：第一隧道绝缘层，邻近于阻挡绝缘层；第三隧道绝缘层，邻近于沟道柱；第二隧道绝缘层，位于第一隧道绝缘层和第三隧道绝缘层之间。第三隧道绝缘层的能带间隙小于第一隧道绝缘层的能带间隙并大于第二隧道绝缘层的能带间隙。

公开(公告)号：CN103227153A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310031117.1

申请日：2013-01-28

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 姜盛泽 ,  G·L·辛达洛里 ,  B·A·温斯蒂亚德 ,  J·A·耶特

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/112

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332

摘要： 本发明涉及具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法。一种用于形成半导体器件（102、104、106）的方法包括：在具有第一区域（104）和第二区域（102）的衬底（52）的表面之上形成第一多个纳米晶体（53），其中所述第一多个纳米晶体在所述第一区域和所述第二区域中形成并且具有第一密度；以及在形成所述第一多个纳米晶体之后，在所述第二区域中而不在所述第一区域中的所述衬底的所述表面之上形成第二多个纳米晶体（63），其中在所述第二区域中所述第一多个纳米晶体连同所述第二多个纳米晶体导致了第二密度，其中所述第二密度大于所述第一密度。

公开(公告)号：CN103180952A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180050988.7

申请日：2011-10-18

申请人： 美光科技公司

发明人： 雷特·T·布鲁尔 ,  迪莱·V·拉马斯瓦米

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/42324 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L21/244 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/44 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明涉及可用于非易失性存储器装置的存储器单元，所述存储器单元包含在其中具有吸气剂的电荷存储结构。提供对电荷存储结构的电荷存储材料中的氧的吸除可促进缓解所述电荷存储材料的有害氧化。