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公开(公告)号：CN105825887B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510001861.6
申请日：2015-01-04
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储器阵列及其操作方法。存储器阵列包含排列成多个列与行的多个存储单元(cell)，其中多个平行记忆字符串(memory string)对应至此些行的各自的行，多个字线是排列而垂直于此些记忆字符串，各字线被连接至该存储单元的此些列的一个对应列的多个栅电极。此方法包括：执行编程操作，编程操作编程在多个边(edge)字线上的所有存储单元，边字线位于存储器阵列的对面边上，且编程操作依据待被储存在存储器阵列之中的输入数据编程存储器阵列之中的多个选择存储单元，此些选择存储单元位于这些边字线之间。各编程后存储单元的阈值电压位于编程验证电平。
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公开(公告)号：CN105825887A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510001861.6
申请日：2015-01-04
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储器阵列及其操作方法。存储器阵列包含排列成多个列与行的多个存储单元(cell)，其中多个平行记忆字符串(memory string)对应至此些行的各自的行，多个字线是排列而垂直于此些记忆字符串，各字线被连接至该存储单元的此些列的一个对应列的多个栅电极。此方法包括：执行编程操作，编程操作编程在多个边(edge)字线上的所有存储单元，边字线位于存储器阵列的对面边上，且编程操作依据待被储存在存储器阵列之中的输入数据编程存储器阵列之中的多个选择存储单元，此些选择存储单元位于这些边字线之间。各编程后存储单元的阈值电压位于编程验证电平。
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公开(公告)号：CN102831923B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110166080.4
申请日：2011-06-14
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C7/10
摘要： 本发明公开了一种热协助介电电荷捕捉闪存。其中，存储器装置包含一介电电荷捕捉结构存储单元的阵列，此介电电荷捕捉结构存储单元包含字线和位线。控制电路被耦合至此阵列安排用以控制读取、编程及擦除操作。一控制器安排有支持电路，热退火此阵列中的存储单元中的电荷捕捉结构。可使用字线驱动器和字线终止电路来引起字线上的电流流动，以引起用于退火的热。可施加热退火与正常操作交错，以从周期损坏恢复。此外，可施加热退火在任务功能如擦除的期间，以改善功能的表现。
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公开(公告)号：CN103928042A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410018267.3
申请日：2014-01-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2216/14 , H01L27/11551 , H01L27/11578
摘要： 本发明公开了一种操作多位存储单元的方法，该方法对具有多位的存储单元的存储器，一次施加一个单脉冲序列或于单通道内。例如，利用具有对多目标编程位阶的编程验证步骤的一递增脉冲编程序列，对多个具有多位的存储单元进行编程。通过这些技术，所需的编程脉冲的数量，以及编程数据所需花费的时间均可减少。连带的，编程的速度可获得改善，且干扰的情形也将改善。针对不同类型的存储单元、存储器架构、编程速度与数据储存密度，可搭配各种单通道多位阶编程的操作。
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公开(公告)号：CN118626000A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310304062.0
申请日：2023-03-27
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种存储器装置及其数据保存度的补偿方法，例如为三维与门(AND)快闪存储器。补偿方法包括：针对存储器装置中的多个已编程存储单元的每一个进行读取动作；通过读取动作以判断各编程存储单元是否发生电荷损失现象来设定各编程存储单元为电荷损失存储单元；以及，针对电荷损失存储单元执行补充编程动作。
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公开(公告)号：CN103928054B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201410017165.X
申请日：2014-01-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种包含叠层式存储器结构的存储器及其操作方法，该包含叠层式存储器结构的存储器包含响应一编程指令而在一特定多位地址处在一多存储单元叠层中的多个目标存储单元中编程数据的控制器电路；所述电路受配置以将在所述多存储单元叠层中的一多存储单元指定使用到多个多存储单元集合，且以反复地执行按顺序选择所述多个集合的每一个的一集合规画操作；每一反复包含施加多个禁止电压到在所述多个集合的其余集合中多个存储单元的全部；而且，每一多层集合包含一或两个的多个子集，且有从其余集合的至少两层与在一集合中所述多个子集的每个分离。
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公开(公告)号：CN106205694A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510222594.5
申请日：2015-05-05
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置包含多个存储器单元及耦接至存储器单元的控制电路。控制电路用以：提供一第一编程电压至该些存储器单元；以一中间位准验证电压验证该些存储器单元，以依据该些存储器单元是否未到达或已到达该中间位准验证电压而分别将该些存储器单元分为一第一组存储器单元及一第二组存储器单元；提供一第二编程电压至该第一组存储器单元，并禁止该第二组存储器单元接收该第二编程电压，该第二编程电压大于或等于该第一编程电压；以及以一期望位准电压验证该第一组存储器单元及该第二组存储器单元。基于该存储器装置，本发明还提供了相应的编程方法及电子装置。
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公开(公告)号：CN110556144A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810546543.1
申请日：2018-05-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/10
摘要： 存储器装置的编程方法包括：以一编程电压与一编程码来编程一目标存储器单元；施加一第一验证电压与一第二验证电压于该目标存储器单元，并得到一第一读取数据与一第二读取数据；以及根据该编程码、该第一读取数据与该第二读取数据来判断该目标存储器单元是否通过一真正编程验证及/或一虚拟编程验证。
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公开(公告)号：CN106205706B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201510214671.2
申请日：2015-04-30
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/14
摘要： 本发明为一种存储器装置与其相关的抹除方法。该存储器装置包含多个存储区块以及一控制器。该等存储区块包含：至少一第一存储区块与至少一第二存储区块。由控制器执行的抹除方法包含以下步骤：依序于一第一期间及一第二期间对该等存储区块中的至少一第一存储区块进行一第一阶段抹除操作及一第二阶段抹除操作；以及依序于该第二期间及一第三期间对该等存储区块中的至少一第二存储区块进行该第一阶段抹除操作及该第二阶段抹除操作。
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公开(公告)号：CN105632554B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201410609974.X
申请日：2014-11-03
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 本发明公开了一种存储装置的操作方法。一种存储装置的操作方法包括如下所述地写入存储装置。首先，提供数据。这些数据包括多个编码。计算所述编码各自的数目。接着，根据所述编码各自的数目产生一对应规则。在对应规则中，所述编码各对应至依序由低至高排列的多个验证电压电平的其中之一。之后，根据对应规则写入数据至存储装置中。
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