公开(公告)号：CN104835823B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201410806284.3

申请日：2014-12-22

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 朴圣根

IPC分类号： H01L27/11524

CPC分类号： H01L27/1157 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/861

摘要： 一种非易失性存储器件包括：浮栅，其具有多个指状件；第一耦合单元，其包括在垂直方向上与浮栅重叠的有源控制栅；第二耦合单元，其包括在水平方向上与浮栅重叠的多个控制插塞；以及控制单元，其将有源控制栅与控制插塞电连接，并且控制施加至有源控制栅的偏压。

公开(公告)号：CN104134670B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410182736.5

申请日：2014-04-30

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 简·A·耶特 ,  洪庄敏 ,  康承泰 ,  罗纳德·J·希兹德克

IPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L27/1157

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332

摘要： 本发明涉及可伸缩分裂栅存储器单元阵列。分裂栅存储器阵列包括具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的24、32、42)的第一行(24)；具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的26、34、44)的第二行(26)，其中所述第二行与所述第一行相邻；以及多个段。每个段(32、34、36；40、42、44)包括：所述第一行的第一多个存储器单元(与12、14交叉)；所述第二行的第二多个存储器单元；形成了所述第一多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第一控制栅部分(32)；以及形成了所述第二多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第二控制栅部分(34)。所述第一控制栅部分和所述第二控制栅部分会聚(36)到在所述多个段的相邻段之间的单一控制栅部分(38)。

公开(公告)号：CN105789206B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201410801901.0

申请日：2014-12-22

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 许正源 ,  张振福 ,  陈辉煌 ,  应宗桦

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42328

摘要： 本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法，该非挥发性存储器包括基底、第一堆叠结构、第二堆叠结构、第五导体层、第一掺杂区与第二掺杂区。第一堆叠结构包括第一导体层与第二导体层。第一导体层与第二导体层依序堆叠于基底上且相互隔离。第二堆叠结构与第一堆叠结构分离设置，且包括第三导体层与第四导体层。第三导体层与第四导体层依序堆叠于基底上且相互连接。第五导体层设置于第一堆叠结构远离第二堆叠结构的一侧的基底上。第一掺杂区设置于第五导体层下方的基底中。第二掺杂区设置于第二堆叠结构远离第一堆叠结构的一侧的基底中。

公开(公告)号：CN108431955A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680076109.0

申请日：2016-12-16

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.于 ,  张艳丽 ,  Z.卢 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  D.毛

IPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11526

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344

摘要： 一种制造结构的方法包含：在衬底(9)之上形成包含绝缘层(42)和间隔体材料层(32)的处理中的交替堆叠体；通过将处理中的交替堆叠体划分为第一交替堆叠体(100，300)和第二交替堆叠体(200)来形成阶梯式表面的两个集合，第一交替堆叠体具有第一阶梯式表面，并且第二交替堆叠体具有第二阶梯式表面；穿过第一交替堆叠体(100)形成至少一个存储器堆叠体结构，至少一个存储器堆叠体结构中的每一个包含电荷储存区域、隧穿电介质和半导体沟道；用导电层(46)替代第一交替堆叠体中的绝缘层(42)的部分，同时在第二交替堆叠体中留下绝缘层的完整部分；以及穿过第二交替堆叠体形成接触通孔结构(84)以接触第二堆叠体下方的外围半导体器件。

公开(公告)号：CN108243625A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201680064295.6

申请日：2016-10-17

申请人： 硅存储技术公司

发明人： C.苏 ,  F.周 ,  J-W.杨 ,  H.V.陈 ,  N.杜

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明提供了一种存储器器件，包括硅衬底，该硅衬底具有在存储器单元区域中的平面的上表面，以及在逻辑器件区域中的向上延伸的硅鳍。硅鳍包括向上延伸且终止于顶表面处的侧表面。逻辑器件包括间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区(沿顶表面和侧表面)在源极区和漏极区之间延伸；以及设置在顶表面之上且横向设置为与侧表面相邻的导电逻辑门。存储器单元包括间隔开的源极区和漏极区，其中第二沟道区在源极区和漏极区之间延伸；设置在第二沟道区的一个部分之上的导电浮置栅极；设置在第二沟道区的另一部分之上的导电字线栅极；设置在浮置栅极之上的导电控制栅极；以及设置在源极区之上的导电擦除栅极。

公开(公告)号：CN108172580A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711213904.2

申请日：2017-11-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴伟成 ,  邓立峯

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11548 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/788

摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括非易失性存储器。非易失性存储器包括设置在衬底上的第一介电层、设置在介电层上的浮置栅极、控制栅极、设置在浮置栅极和控制栅极之间并且具有氧化硅层、氮化硅层以及氧化硅和氮化硅的多层中的一种的第二介电层，以及擦除栅极和选择栅极。擦除栅极和选择栅极包括底部多晶硅层和上部金属层的堆叠件。

公开(公告)号：CN108156827A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201680058275.8

申请日：2016-08-02

申请人： 硅存储技术公司

发明人： C-S.苏 ,  M.塔达尤尼 ,  N.杜

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明公开了一种在相同的绝缘体上硅衬底上形成具有存储器单元和逻辑设备的半导体器件的方法。所述方法包括提供衬底，所述衬底包括硅、直接在所述硅上方的第一绝缘层，以及直接在所述第一绝缘层上方的硅层。使硅在所述衬底的第一（存储器）区域中的所述硅层上而不在所述衬底的第二（逻辑设备）区域中外延生长，使得所述硅层在所述衬底的所述第一区域中相对于所述衬底的所述第二区域较厚。存储器单元形成在所述衬底的所述第一区域中，并且逻辑设备形成在所述衬底的所述第二区域中。

公开(公告)号：CN108140669A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058271.X

申请日：2016-08-02

申请人： 硅存储技术公司

发明人： 周锋 ,  X.刘 ,  J-W.杨 ,  C-S.苏 ,  N.杜

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7883

摘要： 一种形成存储单元对的方法，该方法包括：在半导体基板上方形成多晶硅层并且与半导体基板绝缘；在多晶硅层上方形成导电控制栅对并且与多晶硅层绝缘；形成第一和第二绝缘层，其沿着控制栅的内侧和外侧表面延伸；移除多晶硅层的与控制栅的外侧表面相邻的部分；在该结构上形成HKMG层并且移除其在控制栅之间的部分，移除多晶硅层的与控制栅的内侧表面相邻的部分；在与控制栅的内侧表面相邻的基板中形成源区；在源区上方形成导电抹除栅并且与源区绝缘；形成导电字线栅，其横向地与控制栅相邻，以及在与字线栅相邻的基板中形成漏区。

公开(公告)号：CN104952479B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510089671.4

申请日：2015-02-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴常明 ,  吴伟成 ,  曾元泰 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  庄学理

IPC分类号： G11C11/34 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种嵌入在先进的逻辑电路中的非易失性存储器及其形成方法。在非易失性存储器中，字线和擦除栅极的顶面低于控制栅极的顶面。此外，在实施自对准硅化工艺之前字线和擦除栅极被介电材料围绕。因此，在字线和擦除栅极上不能形成金属硅化物以在随后的化学机械抛光工艺中产生短路和电流泄漏的问题。

公开(公告)号：CN107293322A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610757366.2

申请日：2011-02-07

申请人： 芝诺半导体有限公司

发明人： 于妮尔图·维佳佳 ,  子威·霍巴赫

IPC分类号： G11C11/404 ,  G11C11/56 ,  G11C14/00 ,  G11C16/04 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788

CPC分类号： G11C14/0018 ,  G11C11/404 ,  G11C11/565 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/06 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

摘要： 一种半导体存储单元，由下列组件构成：配置用于充电到一个指示存储单元状态水平的浮体区；与上述的浮体区进行电接触的第一区；与上述的浮体区进行电接触的并与上述的第一区间隔开来的第二区；位于上述的第一区与第二区之间的栅。上述单元为多层单元。还公开了用于制造内存组件的存储单元阵列。还提供了操作存储单元的方法。