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公开(公告)号：CN111048537B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201910857496.7
申请日：2019-09-11
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 包括有源区的图像传感器。图像传感器被设置为包括有源区，有源区包括：浮置扩散区、传输晶体管栅极区、晶体管有源区、和阱抽头区。传输晶体管栅极区可以具有隔离在有源区的第一角部中的浮置扩散区的对角状条形。阱抽头区可以位于传输晶体管栅极区和晶体管有源区之间，并且将传输晶体管栅极区与晶体管有源区隔离。
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公开(公告)号：CN106057810B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201610005318.8
申请日：2016-01-04
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 朴圣根
IPC: H01L27/112 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 一种反熔丝存储单元包括反熔丝元件和栅极PN二极管。反熔丝元件包括：耦接至字线的栅极端子、耦接至位线的漏极端子、和本体端子。栅极PN二极管耦接在字线与栅极端子之间。
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公开(公告)号：CN104241292B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201310625718.5
申请日：2013-11-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 朴圣根
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11543 , H01L27/11521 , H01L29/423 , H01L29/788
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11543 , H01L29/7881
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括形成在衬底之上的控制插塞。浮栅可以形成在衬底之上，浮栅包围控制插塞且通过间隙与控制插塞间隔开。第一电荷阻挡层可以形成在上述浮栅的侧壁上以填充上述间隙。
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公开(公告)号：CN104103642B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201310579444.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 朴圣根
IPC: H01L27/115 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/28282 , H01L27/11568 , H01L29/42344 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：栅结构，所述栅结构包括形成在衬底之上的选择栅以及形成在选择栅的一个侧壁上并具有P型沟道的存储器栅；漏极区，所述漏极区形成在衬底中、位于栅结构的一个侧壁处，并与存储器栅的一部分重叠；以及源极区，所述源极区形成在衬底中、位于栅结构的另一个侧壁处，并与选择栅的一部分重叠。存储器栅包括行和列的网格，具有选择性地形成非易失性存储器件中的存储器的1和0的比特。
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公开(公告)号：CN106571393A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610638717.8
申请日：2016-08-05
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 朴圣根
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L23/535 , H01L29/0653 , H01L29/0869 , H01L29/1045 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/7835 , H01L29/7823
Abstract: 一种高压集成器件包括：源极区和漏极区，设置在半导体层内并且彼此间隔开；漂移区，设置在半导体层内并且包围漏极区；沟道区，限定在半导体层内并且在源极区与漂移区之间；沟槽绝缘场板，设置在漂移区内；凹陷区，设置在沟槽绝缘场板内；金属场板，设置在沟槽绝缘场板之上，并且填充凹陷区；栅绝缘层，设置在沟道区之上，并且延伸在漂移区之上和沟槽绝缘场板之上；以及栅电极，设置在栅绝缘层之上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047666A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201410613050.7
申请日：2014-11-04
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11519 , H01L28/40 , H01L29/0642 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：第一有源区和第二有源区，其彼此分开；浮栅，其与第一有源区交叉，并且被设置成使得其一个端部与第二有源区重叠；选择栅，其与第一有源区交叉，以及被设置成与浮栅并排并且与浮栅耦接；电介质层，其被设置在浮栅和选择栅之间，其中电介质层、浮栅和选择栅的叠层形成水平结构的第一电容器；阱区，其被设置在第二有源区中并且与浮栅耦接，其中，阱区和浮栅的叠层形成垂直结构的第二电容器；以及接触部，其与阱区和选择栅共同耦接。
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公开(公告)号：CN104112749A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310684271.9
申请日：2013-12-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 朴圣根
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , H01L21/8247 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11563 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11573 , H01L29/4234 , H01L29/7923
Abstract: 一种具有多个单位单元的非易失性存储器件，所述多个单位单元中的每个包括适于具有固定阈值电压的第一晶体管，以及适于与第一晶体管并联耦接且具有可变阈值电压的第二晶体管。
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公开(公告)号：CN103887311A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310575138.X
申请日：2013-11-15
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 朴圣根
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11517 , H01L27/092 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11541 , H01L27/11546 , H01L27/11558 , H01L29/42324 , H01L29/7881 , H01L29/7884
Abstract: 非易失性存储器件包括浮置栅极，其形成在衬底上；接触插塞，其形成在该浮置栅极的第一侧，并设置为平行该浮置栅极，且具有限定于其间的间隙；和间隔物，其形成在该浮置栅极的侧壁上，并填充该间隙，其中该接触插塞与该浮置栅极具有足够大的重迭面积，以致能该接触插塞操作如用于该浮置栅极的控制栅极。
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公开(公告)号：CN113675225B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011144057.0
申请日：2020-10-23
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/78
Abstract: 图像感测装置。一种图像感测装置包括：像素阵列，其包括连续地布置并且被构造为通过执行入射光的光电转换而响应于入射光生成电信号的多个单位像素。单位像素通过第一器件隔离结构彼此隔离。单位像素中的每一个包括：光电转换元件，其被构造为通过执行入射光的光电转换而产生光电荷；浮置扩散区，其被构造为接收光电荷；传输晶体管，其被构造为将由光电转换元件产生的光电荷传输到浮置扩散区；以及阱抽头区，其被构造为向阱区施加偏置电压。阱抽头区设置在相应单位像素的中心部分处。
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公开(公告)号：CN111384074B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910712454.4
申请日：2019-08-02
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/146 , H10N97/00
Abstract: 公开了垂直针型电容器及包括其的图像感测装置。该图像感测装置包括：像素区和位于像素区的外部的外围区。外围区包括设置为接收来自像素区的像素信号并且被配置为处理像素信号的逻辑电路和位于邻近逻辑电路的电容器。电容器包括：有源区、凹陷结构和第一结。有源区包括第一杂质区和形成于第一杂质区上方的第二杂质区。凹陷结构包括设置于有源区中并包括导电材料的第一部分和围绕第一部分并包括绝缘材料的第二部分。第一结形成于有源区中并与凹陷结构间隔开预定距离。
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