公开(公告)号：CN104134670B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410182736.5

申请日：2014-04-30

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 简·A·耶特 ,  洪庄敏 ,  康承泰 ,  罗纳德·J·希兹德克

IPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L27/1157

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332

摘要： 本发明涉及可伸缩分裂栅存储器单元阵列。分裂栅存储器阵列包括具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的24、32、42)的第一行(24)；具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的26、34、44)的第二行(26)，其中所述第二行与所述第一行相邻；以及多个段。每个段(32、34、36；40、42、44)包括：所述第一行的第一多个存储器单元(与12、14交叉)；所述第二行的第二多个存储器单元；形成了所述第一多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第一控制栅部分(32)；以及形成了所述第二多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第二控制栅部分(34)。所述第一控制栅部分和所述第二控制栅部分会聚(36)到在所述多个段的相邻段之间的单一控制栅部分(38)。

公开(公告)号：CN104425508B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201410415106.8

申请日：2014-08-21

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 阿桑加·H·佩雷拉 ,  洪庄敏 ,  康承泰 ,  秉·W·闵 ,  简·A·耶特

IPC分类号： H01L27/11568

摘要： 提供了集成的分裂栅非易失性存储器单元和逻辑结构。制作半导体结构的方法包括在NVM区域中形成选择栅和电荷存储层。垫片选择栅是通过在回刻蚀之后沉积共形层而形成的。构图刻蚀导致在所述选择栅上保留所述电荷存储层的一部分。形成于逻辑区域中的哑元栅结构具有被绝缘层围绕的哑元栅。执行化学抛光导致所述电荷存储层的顶面与所述哑元栅结构的顶面共面。用包括另一个化学机械抛光的金属逻辑栅替代所述哑元栅的一部分导致所述电荷存储层的顶面与所述金属逻辑栅共面。