公开(公告)号：CN115360167A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210904177.9

申请日：2016-09-27

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： F.富山 ,  Y.水谷 ,  小川裕之 ,  Y.降幡 ,  J.于 ,  J.卡伊 ,  J.刘 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过所述存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并且将所述至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，依次包含沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块；贯穿存储器层级通孔区域，位于相邻于所述第二块的纵向端部且在所述第一块的阶梯区域与所述第三块的阶梯区域之间，其中所述贯穿存储器层级通孔区域包括嵌入在电介质填充材料部分中的垂直延伸的贯穿存储器层级通孔结构；以及字线开关器件。还公开了一种三维NAND存储器器件。

公开(公告)号：CN115360137A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210904643.3

申请日：2016-09-27

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： F.富山 ,  Y.水谷 ,  小川裕之 ,  Y.降幡 ,  J.于 ,  J.卡伊 ,  J.刘 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的至少一个处理中交替堆叠体；形成深沟沟槽；在深沟沟槽的侧壁上形成图案化的绝缘衬垫层；在贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级开口；形成后侧凹部；形成至少一个交替堆叠体；形成位于半导体衬底之上的存储器层级组件；形成穿过存储器层级组件的多个横向伸长的接触通孔结构；以及在块中的贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级通孔结构。

公开(公告)号：CN108431955B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201680076109.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.于 ,  张艳丽 ,  Z.卢 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  D.毛

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11526

Abstract: 一种制造结构的方法包含：在衬底(9)之上形成包含绝缘层(42)和间隔体材料层(32)的处理中的交替堆叠体；通过将处理中的交替堆叠体划分为第一交替堆叠体(100，300)和第二交替堆叠体(200)来形成阶梯式表面的两个集合，第一交替堆叠体具有第一阶梯式表面，并且第二交替堆叠体具有第二阶梯式表面；穿过第一交替堆叠体(100)形成至少一个存储器堆叠体结构，至少一个存储器堆叠体结构中的每一个包含电荷储存区域、隧穿电介质和半导体沟道；用导电层(46)替代第一交替堆叠体中的绝缘层(42)的部分，同时在第二交替堆叠体中留下绝缘层的完整部分；以及穿过第二交替堆叠体形成接触通孔结构(84)以接触第二堆叠体下方的外围半导体器件。

公开(公告)号：CN115360169A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210904642.9

申请日：2016-09-27

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： F.富山 ,  Y.水谷 ,  小川裕之 ,  Y.降幡 ,  J.于 ,  J.卡伊 ,  J.刘 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和垂直延伸穿过至少一个交替堆叠体的存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并将至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，包含沿着垂直于第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块，并且其中第一子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第一块，第二子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第二块，并且第三子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第三块；以及贯穿存储器层级通孔区域。还公开了一种三维NAND存储器器件。

公开(公告)号：CN109075190A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026899.6

申请日：2017-02-23

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.于 ,  Z.卢 ,  A.楚 ,  K.山口 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  Y.李 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，所述半导体结构包括存储器级组件，所述存储器级组件定位在基板上方并且包括至少一个交替堆叠和垂直延伸穿过所述至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构。所述至少一个交替堆叠中的每一者包括相应绝缘层和相应导电层的交替层，并且在所述至少一个交替堆叠中的所述导电层中的每一者包括相应的开口，由此使得定位在所述开口中的相应间隔物电介质部分的外围接触所述相应导电层的侧壁。至少一个穿存储器级通孔结构垂直延伸穿过所述间隔物电介质部分和所述绝缘层中的每一者。

公开(公告)号：CN109075175A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026897.7

申请日：2017-02-21

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： Z.卢 ,  J.于 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  F.富山 ,  Y.水谷 ,  小川裕之 ,  C.葛 ,  D.毛 ,  张艳丽 ,  A.楚 ,  Y.李

IPC: H01L27/1158 ,  H01L29/66 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明的下级金属互连结构在其上具有半导体装置的基板上方形成。半导体材料层以及电介质隔层和绝缘层的交替堆叠在所述下级金属互连结构上方形成。存储堆叠结构阵列穿过所述交替堆叠形成。沟槽穿过所述交替堆叠形成，由此使得阶梯区域位于远离距所述沟槽阈值横向距离处，而相邻的阶梯区域在距所述沟槽所述阈值横向距离内形成。所述沟槽近侧的所述电介质隔层的部分被导电层替换，而所述交替堆叠的保留部分存在于所述阶梯区域中。至少一个直通存储级通孔结构可以穿过所述电介质隔层的所述保留部分和所述绝缘层形成，以提供穿过存储级组件的竖直导电路径。

公开(公告)号：CN108431956A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201780004961.1

申请日：2017-02-10

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.于 ,  Z.卢 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  K.山口 ,  S.T.李 ,  李耀升 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556

CPC classification number: H01L21/76805 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成牺牲存储器开口填充结构同时地在第一外围通孔腔中形成牺牲通孔填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在第一存储器开口中。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构同时地形成外围接触通孔结构。

公开(公告)号：CN108431955A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680076109.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.于 ,  张艳丽 ,  Z.卢 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  D.毛

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11526

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344

Abstract: 一种制造结构的方法包含：在衬底(9)之上形成包含绝缘层(42)和间隔体材料层(32)的处理中的交替堆叠体；通过将处理中的交替堆叠体划分为第一交替堆叠体(100，300)和第二交替堆叠体(200)来形成阶梯式表面的两个集合，第一交替堆叠体具有第一阶梯式表面，并且第二交替堆叠体具有第二阶梯式表面；穿过第一交替堆叠体(100)形成至少一个存储器堆叠体结构，至少一个存储器堆叠体结构中的每一个包含电荷储存区域、隧穿电介质和半导体沟道；用导电层(46)替代第一交替堆叠体中的绝缘层(42)的部分，同时在第二交替堆叠体中留下绝缘层的完整部分；以及穿过第二交替堆叠体形成接触通孔结构(84)以接触第二堆叠体下方的外围半导体器件。

公开(公告)号：CN108431956B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201780004961.1

申请日：2017-02-10

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： J.于 ,  Z.卢 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  K.山口 ,  S.T.李 ,  李耀升 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27

Abstract: 可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成牺牲存储器开口填充结构同时地在第一外围通孔腔中形成牺牲通孔填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在第一存储器开口中。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构同时地形成外围接触通孔结构。

公开(公告)号：CN115360168A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210904597.7

申请日：2016-09-27

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： F.富山 ,  Y.水谷 ,  小川裕之 ,  Y.降幡 ,  J.于 ,  J.卡伊 ,  J.刘 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包括导电层和绝缘层的第一部分的至少一个第一交替堆叠体，并且还包括垂直延伸穿过至少一个第一交替堆叠体的存储器堆叠体结构，其中存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道，其中导电层包括用于存储器堆叠体结构的字线；绝缘深沟沟槽结构，垂直延伸穿过存储器层级组件并限定贯穿存储器层级通孔区域的与至少一个第一交替堆叠体横向间隔的区域；至少一个第二交替堆叠体，位于贯穿存储器层级通孔区域；以及贯穿存储器层级通孔结构。还公开了形成半导体结构的方法。