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公开(公告)号：CN115360169A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210904642.9
申请日：2016-09-27
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和垂直延伸穿过至少一个交替堆叠体的存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并将至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，包含沿着垂直于第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块，并且其中第一子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第一块，第二子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第二块，并且第三子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第三块；以及贯穿存储器层级通孔区域。还公开了一种三维NAND存储器器件。
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公开(公告)号：CN109075175A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026897.7
申请日：2017-02-21
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/1158 , H01L29/66 , H01L29/792 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本发明的下级金属互连结构在其上具有半导体装置的基板上方形成。半导体材料层以及电介质隔层和绝缘层的交替堆叠在所述下级金属互连结构上方形成。存储堆叠结构阵列穿过所述交替堆叠形成。沟槽穿过所述交替堆叠形成，由此使得阶梯区域位于远离距所述沟槽阈值横向距离处，而相邻的阶梯区域在距所述沟槽所述阈值横向距离内形成。所述沟槽近侧的所述电介质隔层的部分被导电层替换，而所述交替堆叠的保留部分存在于所述阶梯区域中。至少一个直通存储级通孔结构可以穿过所述电介质隔层的所述保留部分和所述绝缘层形成，以提供穿过存储级组件的竖直导电路径。
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公开(公告)号：CN115360168A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210904597.7
申请日：2016-09-27
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包括导电层和绝缘层的第一部分的至少一个第一交替堆叠体，并且还包括垂直延伸穿过至少一个第一交替堆叠体的存储器堆叠体结构，其中存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道，其中导电层包括用于存储器堆叠体结构的字线；绝缘深沟沟槽结构，垂直延伸穿过存储器层级组件并限定贯穿存储器层级通孔区域的与至少一个第一交替堆叠体横向间隔的区域；至少一个第二交替堆叠体，位于贯穿存储器层级通孔区域；以及贯穿存储器层级通孔结构。还公开了形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN108377660B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201680055260.6
申请日：2016-09-27
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11529 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L23/522 , H01L27/02 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种三维NAND存储器器件，包括：位于衬底上或上方的字线驱动器装置；位于所述字线驱动器装置上方的交替堆叠的字线和绝缘层；延伸穿过所述交替堆叠的多个存储器堆叠结构，每个存储器堆叠结构包括存储器膜和垂直半导体沟道；以及贯穿存储器层级通孔结构，其将第一存储器块中的字线电耦合到所述字线驱动器装置。所述贯穿存储器层级通孔结构延伸穿过位于所述第一存储器块的阶梯区域和另一存储器块的阶梯区域之间的贯穿存储器层级通孔区域。
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公开(公告)号：CN109791931B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201780058159.0
申请日：2017-08-31
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了在衬底上方形成的绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。包括存储器膜和竖直半导体沟道的存储器堆叠结构穿过阵列构型中的所述交替堆叠体形成。穿过所述交替堆叠体形成沿长度方向延伸的背侧沟槽。通过去除所述牺牲材料层形成背侧凹陷部。通过以非均匀间距布置所述存储器堆叠结构，能够以无空隙或以最小空隙执行用导电层填充所述背侧凹陷部。所述非均匀间距可以沿着垂直于所述长度方向的所述方向，使得所述存储器堆叠结构之间的所述最近相邻距离在所述背侧沟槽之间最小。另选地或除此之外，所述间距可以沿着所述长度方向调节，以提供垂直于所述长度方向延伸的更宽的间隔区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115360167A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210904177.9
申请日：2016-09-27
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过所述存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并且将所述至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，依次包含沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块；贯穿存储器层级通孔区域，位于相邻于所述第二块的纵向端部且在所述第一块的阶梯区域与所述第三块的阶梯区域之间，其中所述贯穿存储器层级通孔区域包括嵌入在电介质填充材料部分中的垂直延伸的贯穿存储器层级通孔结构；以及字线开关器件。还公开了一种三维NAND存储器器件。
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公开(公告)号：CN115360137A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210904643.3
申请日：2016-09-27
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的至少一个处理中交替堆叠体；形成深沟沟槽；在深沟沟槽的侧壁上形成图案化的绝缘衬垫层；在贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级开口；形成后侧凹部；形成至少一个交替堆叠体；形成位于半导体衬底之上的存储器层级组件；形成穿过存储器层级组件的多个横向伸长的接触通孔结构；以及在块中的贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级通孔结构。
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公开(公告)号：CN108934183A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201780002990.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11548 , H01L23/485 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 可以穿过绝缘层和间隔体材料层的交替的堆叠体来形成存储器堆叠体结构，该交替的堆叠体形成为电气导电层或者随后以电气导电层替换。存储器堆叠体结构可以形成为具有第一节距的行。附加的绝缘层和至少一个漏极选择级电介质层形成在交替的堆叠体之上。漏极选择级开口以具有更小的第二节距的行的形式形成。至少一个漏极选择级电介质层的部分替换形成了间隔开的电气导电线结构，该电气导电线结构围绕相应的多个漏极选择级开口。漏极选择级沟道部分随后形成在相应的漏极选择级开口中。
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公开(公告)号：CN108934183B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201780002990.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Abstract: 可以穿过绝缘层和间隔体材料层的交替的堆叠体来形成存储器堆叠体结构，该交替的堆叠体形成为电气导电层或者随后以电气导电层替换。存储器堆叠体结构可以形成为具有第一节距的行。附加的绝缘层和至少一个漏极选择级电介质层形成在交替的堆叠体之上。漏极选择级开口以具有更小的第二节距的行的形式形成。至少一个漏极选择级电介质层的部分替换形成了间隔开的电气导电线结构，该电气导电线结构围绕相应的多个漏极选择级开口。漏极选择级沟道部分随后形成在相应的漏极选择级开口中。
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