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公开(公告)号：CN110854198B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910438194.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种逻辑开关器件及其制造方法。逻辑开关器件可以包括与栅电极相邻的畴转变层。畴转变层可以包括铁电材料区域和反铁电材料区域。畴转变层可以是非存储元件。逻辑开关器件可以包括沟道、都连接到沟道的源极和漏极、布置为面对沟道的栅电极、以及提供在沟道和栅电极之间的畴转变层。
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公开(公告)号：CN109830548B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810538676.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/146 , G01S17/08
Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。
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公开(公告)号：CN112701157A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011095367.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L51/05 , H01L21/336
Abstract: 提供了电子器件和制造其的方法和系统。该电子器件包括电介质层，该电介质层包括具有被对准的晶向的晶粒，该电介质层可以在基板和栅电极之间。电介质层可以在隔开的第一电极和第二电极之间。制造电子器件的方法可以包括：准备具有沟道层的基板；在沟道层上形成电介质层；以及在电介质层上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN111863935A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010160689.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 谐振隧穿器件和使用其检测物理特性的方法。一种谐振隧穿器件包括：第一二维半导体层，包括第一二维半导体材料；在第一二维半导体层上的第一绝缘层；以及第二二维半导体层，在第一绝缘层上并且包括与第一二维半导体材料相同种类的第二二维半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108063145B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201710599298.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
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公开(公告)号：CN118159034A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311674381.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法。电子器件可包括导电材料层、覆盖所述导电材料层的铁电层、以及覆盖所述铁电层的电极。所述铁电层可包括由HfxAyOz表示的化合物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，且2(x+y)
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公开(公告)号：CN113097303A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010939673.9
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11502
Abstract: 提供了包括具有被调整的晶向的电介质层的电子器件、制造该电子器件的方法和包括该电子器件的存储器件。该电子器件包括提供在衬底上的籽晶层和提供在籽晶层上的电介质层。籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒。电介质层包括具有配向在与籽晶层的晶向相同的方向上的晶向的晶粒。
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公开(公告)号：CN112582539A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011060074.6
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件。本文中公开了薄膜结构体，其包括在包括多个层的介电层上的第一导电层。所述多个层各自包括包含掺杂剂A的掺杂剂层和HfO2层以形成化合物HfxA1‑xOz(0
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公开(公告)号：CN108288625A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711443369.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L27/156 , H01L27/307 , H01L29/122 , H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L51/0045 , H01L51/0579 , Y02E10/547 , H01L27/14601 , H01L27/14665
Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
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