公开(公告)号：CN111863935A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010160689.X

申请日：2020-03-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 赵常玹 ,  梁喜准 ,  申铉振 ,  郑守君

IPC: H01L29/06 ,  H01L47/00 ,  G01D5/14

Abstract: 谐振隧穿器件和使用其检测物理特性的方法。一种谐振隧穿器件包括：第一二维半导体层，包括第一二维半导体材料；在第一二维半导体层上的第一绝缘层；以及第二二维半导体层，在第一绝缘层上并且包括与第一二维半导体材料相同种类的第二二维半导体材料。

公开(公告)号：CN107017333A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610868492.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金圣雄 ,  金恩声 ,  黃在烈 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L35/10 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 公开热电结构体、热电器件和其制造方法。可包括在热电器件中的热电结构体可包括薄膜结构体，所述薄膜结构体可包含多个薄膜层。所述薄膜结构体可包括碲。所述薄膜结构体可在基底上。所述基底可包括氧化物，且缓冲层可在所述基底和所述薄膜结构体之间。所述热电结构体可经由将从靶烧蚀的材料沉积到所述基底上而制造。一些材料可与所述基底反应以形成所述缓冲层，和薄膜层可形成于所述缓冲层上。可将所述薄膜层从所述基底除去并且提供在单独的基底上。将所述薄膜层从所述基底除去可包括将所述薄膜层从所述缓冲层除去。

公开(公告)号：CN112239860B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN112239860A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN109324474B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201810722896.2

申请日：2018-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  郑盛骏 ,  朴晟准

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00

Abstract: 公开配置成保护光掩模的表膜、包括该表膜的掩模版、和制造该表膜的方法。所述表膜配置成保护光掩模免受外部污染物并且可包括金属催化剂层和在所述金属催化剂层上的包括2D材料的表膜膜片，其中所述金属催化剂层支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述金属催化剂层可在基底上，使得所述基底和所述金属催化剂层共同支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述表膜可基于如下形成：在所述金属催化剂层生长所述2D材料和蚀刻支撑所形成的表膜膜片的中央区域的所述金属催化剂层的内部区域。

公开(公告)号：CN109037222B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H10B41/20

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN110880447B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN108572512B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201711188432.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  李珉贤 ,  赵连柱

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。

公开(公告)号：CN107359686B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN114597123A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110799218.8

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  崔太镇

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: 提供包括非晶氮化硼膜的硬掩模和制造所述硬掩模的方法、以及使用所述硬掩模的图案化方法。所述硬掩模提供在基材上且用于将所述基材图案化的工艺，并且所述硬掩模包括非晶氮化硼膜。