公开(公告)号：CN114578460A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110799177.2

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔太镇 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金尚元

IPC: G02B1/113 ,  G02B1/14 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/054

Abstract: 提供非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体。所述非晶氮化硼膜具有包括sp3杂化键和sp2杂化键的非晶结构，其中所述非晶氮化硼膜中的sp3杂化键相对于sp3杂化键与sp2杂化键之和的比率小于约20％。

公开(公告)号：CN116960106A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310469579.5

申请日：2023-04-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 崔太镇 ,  金玟秀 ,  申铉石 ,  申铉振

IPC: H01L23/532 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及纳米晶氮化硼膜、图像传感器、和电场效应晶体管。公开了具有相对低的介电常数和优异的机械性质的纳米晶氮化硼膜。所述纳米晶氮化硼膜包括具有在5nm至100nm范围内的尺寸的多个纳米晶氮化硼晶体，所述纳米晶氮化硼膜在100kHz工作频率下具有在2.5至5.5的范围内的介电常数，和所述纳米晶氮化硼膜具有1GPa至10GPa的硬度。

公开(公告)号：CN114597123A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110799218.8

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  崔太镇

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: 提供包括非晶氮化硼膜的硬掩模和制造所述硬掩模的方法、以及使用所述硬掩模的图案化方法。所述硬掩模提供在基材上且用于将所述基材图案化的工艺，并且所述硬掩模包括非晶氮化硼膜。