公开(公告)号：CN109254499A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括由式1表示的结构和溶剂，其中在式1中，R1-R8、X和M详细地描述于具体实施方式部分中。式1

公开(公告)号：CN105467615A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510622829.X

申请日：2015-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰豪 ,  黄晟寓 ,  金尚元 ,  安浩荣 ,  丁大荣

IPC: G02C7/04 ,  G02B27/01

CPC classification number: G02C11/10 ,  G02C7/04 ,  G02B27/017 ,  G02B2027/0178

Abstract: 示例实施例公开了用于增强真实性的智能隐形眼镜以及制造和操作该智能隐形眼镜的方法。该智能隐形眼镜包括：第一隐形眼镜；显示单元，在第一隐形眼镜的中心区域中；周边器件，在第一隐形眼镜上且在显示单元周围，周边器件连接到显示单元；以及钝化层，覆盖显示单元和周边器件。制造智能隐形眼镜的方法包括：形成显示单元；在第一隐形眼镜的中心区域中安装显示单元；在第一隐形眼镜上且在显示单元周围形成与显示单元相连的周边器件；以及形成钝化层以覆盖显示单元和周边器件。

公开(公告)号：CN103682283A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310421255.0

申请日：2013-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  朴钟辰 ,  朴晋焕 ,  河炯旭

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/366 ,  D01D5/0007 ,  D01D5/0069 ,  D01D5/34 ,  D01F1/08 ,  D01F8/18 ,  D01F9/14 ,  H01M4/0411 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/0473 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/625 ,  H01M4/626 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/022 ,  Y02E60/122 ,  D04H1/4209 ,  D04H1/4382 ,  D04H1/728 ,  H01M4/38 ,  H01M4/583 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供复合负极活性材料、包括所述复合负极活性材料的负极、包括所述负极的锂电池和制备所述复合负极活性材料的方法。所述复合负极活性材料包括：包括中空碳纤维的壳；和设置在所述中空碳纤维的空洞中的核，其中所述核包括第一金属纳米结构体和导电剂。

公开(公告)号：CN109256328B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201810030517.3

申请日：2018-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  申铉振 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M‑O‑C键或M‑C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。

公开(公告)号：CN114578460A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110799177.2

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔太镇 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金尚元

IPC: G02B1/113 ,  G02B1/14 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/054

Abstract: 提供非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体。所述非晶氮化硼膜具有包括sp3杂化键和sp2杂化键的非晶结构，其中所述非晶氮化硼膜中的sp3杂化键相对于sp3杂化键与sp2杂化键之和的比率小于约20％。

公开(公告)号：CN113725107A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110333720.X

申请日：2021-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷奎 ,  赵连柱 ,  金尚元 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  申铉振

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/2273

Abstract: 提供了通过使用X射线光电子能谱(XPS)来测量石墨烯层的厚度的方法和测量硅碳化物的含量的方法。计算直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法包括：通过使用从石墨烯层发射的光电子束的信号强度与从硅衬底发射的光电子束的信号强度之间的比值来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度。

公开(公告)号：CN113675258A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110318984.8

申请日：2021-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  金尚元 ,  卞卿溵 ,  李殷奎 ,  金昌炫 ,  李昌锡

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 提供一种导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法。该导电结构包括包含金属的导电材料层和用于通过结合至该导电材料层来控制导电结构的功函数的功函数控制层。功函数控制层包括具有缺陷的二维材料。

公开(公告)号：CN106054533B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201610028493.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  赵连柱

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。硬掩模组合物可包括具有在约5nm‑约100nm范围内的尺寸的石墨烯纳米颗粒和溶剂。

公开(公告)号：CN108241262A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711135559.5

申请日：2017-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  郑盛骏

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括溶剂、2D碳纳米结构(和/或其衍生物)、和0D碳纳米结构(和/或其衍生物)。

公开(公告)号：CN119725313A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411349803.8

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵奇迎 ,  金尚元 ,  金载洹 ,  申铉振 ,  V·L·阮 ,  李昌锡

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及互连结构体、其制造方法、以及包括其的电子设备。公开了互连结构体，所述互连结构体包括基底、在所述基底上的导电层、以及与所述导电层接触的钝化层，其中所述钝化层包括：包括具有六方晶体结构的氮化硼(h‑BN)的第一层和包括非晶氮化硼(a‑BN)的第二层，并且所述第一层与所述导电层接触。