公开(公告)号：CN119835999A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411431565.5

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  卞卿溵 ,  金昌炫 ,  李殷奎

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法。该半导体器件包括：电介质壁，沿垂直于基板的方向提供；第一金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)，提供在电介质壁的一个侧表面上；第二MOSFET，在垂直于基板的方向上提供在第一MOSFET上方；以及第三MOSFET，与第一MOSFET平行地提供在电介质壁的另一侧表面上。

公开(公告)号：CN109256328B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201810030517.3

申请日：2018-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  申铉振 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M‑O‑C键或M‑C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。

公开(公告)号：CN114520259A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110912210.8

申请日：2021-08-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  尹圣仁

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02

Abstract: 提供黑磷‑二维材料复合物及其制造方法、制造黑磷片的方法和电子器件。所述黑磷‑二维材料复合物包括：各自具有二维晶体结构并且通过范德华力彼此结合的第一和第二二维材料层；以及在所述第一和第二二维材料层之间并且具有其中多个磷原子共价键合的二维晶体结构的黑磷片。

公开(公告)号：CN106054533B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201610028493.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  赵连柱

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。硬掩模组合物可包括具有在约5nm‑约100nm范围内的尺寸的石墨烯纳米颗粒和溶剂。

公开(公告)号：CN113410304A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110280227.6

申请日：2021-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/092

Abstract: 示例实施方式提供了垂直型晶体管、包括其的反相器和包括其的垂直型半导体器件。垂直型晶体管包括：基板；提供在基板上的第一源/漏电极层；第二源/漏电极层，提供在第一源/漏电极层之上；第一栅电极层，提供在第一源/漏电极层和第二源/漏电极层之间；穿过第一栅电极层的第一栅绝缘膜；孔，穿过第二源/漏电极层、第一栅绝缘膜和第一源/漏电极层；以及提供在该孔的侧面上的第一沟道层，其中第一沟道层可以包括2D半导体。

公开(公告)号：CN108241262A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711135559.5

申请日：2017-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  郑盛骏

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括溶剂、2D碳纳米结构(和/或其衍生物)、和0D碳纳米结构(和/或其衍生物)。

公开(公告)号：CN107359808A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710303449.9

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 白正民 ,  千珍晟 ,  芮秉旭 ,  金在瑛 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H02N1/04

Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；第一带电物体，在第一电极的面对第二电极的表面上；第二带电物体，提供在第一带电物体和第二电极之间；以及接地单元，配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。

公开(公告)号：CN119325262A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202410714579.1

申请日：2024-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  薛珉洙 ,  俞敏硕 ,  朴宰贤 ,  卞卿溵

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/17 ,  H10D84/83

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；水平半导体层，在鳍型有源区上；种子层，在鳍型有源区上并且与水平半导体层接触；栅极线，在鳍型有源区上围绕水平半导体层和种子层，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上在长度上延伸；以及一对垂直半导体层，在鳍型有源区上分别在水平半导体层的在第一水平方向上的第一侧和第二侧上，水平半导体层在所述一对垂直半导体层之间，其中，所述一对垂直半导体层中的每个的内壁接触水平半导体层，并且所述一对垂直半导体层的上表面或下表面接触种子层。

公开(公告)号：CN117393612A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310850230.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造其的方法和包括其的电子设备。半导体器件可包括：二维材料层，其包括具有多晶结构的二维半导体材料；部分地在所述二维材料层上的金属性纳米颗粒；分别在所述二维材料层的两侧上的源电极和漏电极；以及在所述源电极和所述漏电极之间在所述二维材料层上的栅极绝缘层和栅电极。

公开(公告)号：CN107359686B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。