公开(公告)号：CN107359808B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201710303449.9

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 白正民 ,  千珍晟 ,  芮秉旭 ,  金在瑛 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H02N1/04

Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；第一带电物体，在第一电极的面对第二电极的表面上；第二带电物体，提供在第一带电物体和第二电极之间；以及接地单元，配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。

公开(公告)号：CN107359686B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN107359686A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

CPC classification number: H02N1/04 ,  H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN107359808A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710303449.9

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 白正民 ,  千珍晟 ,  芮秉旭 ,  金在瑛 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H02N1/04

Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；第一带电物体，在第一电极的面对第二电极的表面上；第二带电物体，提供在第一带电物体和第二电极之间；以及接地单元，配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。

公开(公告)号：CN116266530A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211410901.9

申请日：2022-11-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  卞卿溵 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  金炯俊

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件。所述非均质二维材料的复合物可包括：基板；在所述基板上并且具有二维晶体结构的第一二维材料层；以及在所述基板和所述第一二维材料层之间的第二二维材料层。所述第二二维材料层具有其中多个磷原子彼此共价键合的二维晶体结构。

公开(公告)号：CN112750834A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011177930.6

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡 ,  卞卿溵 ,  申铉石 ,  洪锡模

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。

公开(公告)号：CN119815870A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411407337.4

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊荣 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一沟道层和第二沟道层，在第一方向上彼此间隔开并且每个包括二维(2D)半导体材料；第一源电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一漏电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以在垂直于第一方向的第二方向上与第一源电极间隔开并且同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一栅电极，布置在由第一源电极、第一漏电极、第一沟道层和第二沟道层围绕的第一内部空间中；以及第一栅极绝缘层，在第一内部空间中围绕第一栅电极。

公开(公告)号：CN117542888A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310806799.2

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞贞恩 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申建旭 ,  李殷奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。

公开(公告)号：CN114188305A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111031346.4

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  赵玟赫 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  山本薰 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  郑根吾

IPC: H01L23/532 ,  H01L29/45 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。

公开(公告)号：CN106067739B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。