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公开(公告)号：CN107342246A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710244681.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4481 , H01L21/0228 , H01L21/76831 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/67178 , H01J37/3244 , H01J2237/332 , H01J2237/3321
Abstract: 本公开提供半导体制造装置以及半导体制造工艺罐。一种半导体制造装置可以包括多个反应容器，该多个反应容器可以联接在一起以在产生用于半导体制造的工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段，其中每个反应容器可以以不同于该多个反应容器中的其它反应容器的各自的配置包括各自的半导体制造固体源材料。
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公开(公告)号：CN117877976A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311302591.3
申请日：2023-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/56
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成台阶键；在台阶键上形成覆盖台阶键的模塑层；在模塑层上形成第一掩模层；在第一掩模层中形成与台阶键重叠的透明层；在第一掩模层和透明层上形成第二掩模层；使用第二掩模层来蚀刻模塑层，其中，第一掩模层包括金属材料。
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公开(公告)号：CN112086450B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010528595.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G06F30/3947
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括在第一方向上间隔开的第一有源区域和第二有源区域；在第一和第二有源区域上并在第二方向上延伸的第一和第二有源图案；在第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极图案；栅电极，在第一方向上延伸以跨越第一和第二有源图案，并在第二方向上以第一节距排列；第一配线，在栅电极上的第一层间电介质层中并且每个电连接到第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案或栅电极；以及第二配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中，并在第一方向上彼此平行地延伸。
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公开(公告)号：CN114188305A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111031346.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L29/45 , H01L27/108 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116153853A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211453174.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764
Abstract: 提供了一种制造包括限定气隙的二维材料层的半导体器件的方法和自该方法制造的半导体器件。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成结构，其中该结构具有开口；将基板装载到工艺室中；在结构的上表面上形成至少一个二维材料层以覆于开口上并形成气隙，其中气隙的上部由至少一个二维材料层限定；以及从工艺室卸载基板。
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公开(公告)号：CN109411386B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810805363.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且用于储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。
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公开(公告)号：CN115196622A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210207355.2
申请日：2022-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B32/186
Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。
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公开(公告)号：CN112086450A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010528595.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G06F30/3947
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括在第一方向上间隔开的第一有源区域和第二有源区域；在第一和第二有源区域上并在第二方向上延伸的第一和第二有源图案；在第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极图案；栅电极，在第一方向上延伸以跨越第一和第二有源图案，并在第二方向上以第一节距排列；第一配线，在栅电极上的第一层间电介质层中并且每个电连接到第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案或栅电极；以及第二配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中，并在第一方向上彼此平行地延伸。
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公开(公告)号：CN109411386A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810805363.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/4412 , C23C16/4483 , H01L21/02175 , H01L21/0228 , H01L21/67017 , C23C16/455 , H01L21/67011
Abstract: 提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且用于储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。
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