公开(公告)号：CN119275128A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410108789.6

申请日：2024-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 公开了衬底处理系统和衬底处理方法。该衬底处理方法包括：对衬底执行曝光工艺；在曝光工艺之后，去除衬底上的水分；对去除了水分的衬底执行润湿工艺；以及在润湿工艺之后，对衬底执行干燥工艺。去除衬底上的水分的步骤包括：测量衬底的重量以及加热测量了其重量的衬底。对衬底执行干燥工艺的步骤包括：将衬底放入干燥室中，以及向干燥室供应超临界流体以干燥衬底上的流体。

公开(公告)号：CN111834249B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN118116831A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310961085.9

申请日：2023-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了一种衬底处理挡板、衬底处理装置、以及衬底处理装置制造方法。衬底处理挡板包括：板主体，具有沿第一方向延伸的中心轴线；以及上主体，在板主体上。上主体包括与上主体的顶表面连接的上引流路径。板主体包括：下引流路径，连接到上引流路径和板主体的底表面；以及耦接孔，延伸穿过板主体的顶表面。耦接孔包括放置孔。放置孔包括位置设置孔，该位置设置孔的宽度随着距板主体的顶表面的距离减小而减小。

公开(公告)号：CN117637523A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310524509.5

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了超临界流体供应装置、衬底处理装置和衬底处理方法。该衬底处理装置包括：干燥室，包括被配置为其中设置有衬底的干燥空间；以及超临界流体供应装置，被配置为向干燥室供应超临界流体。该超临界流体供应装置包括：流体供应罐；高温流体罐，被配置为在其中以第一温度存储从流体供应罐供应的流体；以及低温流体罐，被配置为在其中以与第一温度不同的第二温度存储从流体供应罐供应的流体。高温流体罐和低温流体罐在流体供应罐和干燥室之间并联连接。

公开(公告)号：CN109037094B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN102117698A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN101577226A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137129.6

申请日：2009-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  金伶厚 ,  洪昌基 ,  李根泽 ,  李在东 ,  严大弘 ,  韩政男

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。

公开(公告)号：CN118156173A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311575670.1

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种挡板检查装置，并且该挡板检查装置包括：挡板，包括被配置为接收和喷射流体的喷射表面；上容器，耦接到挡板，使得挡板的喷射表面朝下；在上容器上方的上板，支撑所述上容器；在上容器下方的下容器，远离上容器和上板；在下容器的上表面上的压力测量传感器；在下容器的下表面上的下板，支撑下容器；以及支撑件，支撑上板和下板。上容器包括流路径管，该流路径管被配置为向挡板供应流体，使得流体从挡板的喷射表面喷射。

公开(公告)号：CN118099023A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311540119.3

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  G01B11/27 ,  G01B11/02 ,  G01C9/00

Abstract: 提供了一种衬底处理装置，包括：处理容器，具有处理空间；衬底支撑件，被配置为支撑衬底；流体供应器，被配置为将处于超临界状态的处理流体供应给处理空间；喷头组件，被配置为扩散处理流体；第一激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的水平对齐；第二激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的竖直对齐；以及控制器，被配置为基于所测量的水平对齐和竖直对齐来校正衬底、喷头组件和处理容器之一的位置，其中，第一激光部和第二激光部被配置为在处理容器内定位，并且在衬底上方移动。

公开(公告)号：CN117457526A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310544941.0

申请日：2023-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  F26B21/00 ,  F26B3/04

Abstract: 提供了一种衬底处理装置，包括：处理室，包括处理空间；衬底支撑件，被配置为在处理室中支撑衬底；排放管，布置在处理室的底壁上；排放设备，被配置为经由排放管排出处理空间中的处理流体；第一供应管，包括插入排放管中的第一部分和在排放管外部的第二部分；以及流体供应设备，被配置为经由第一供应管向处理空间供应处于超临界状态的处理流体，其中，在第一供应管的端部处的第一入口和在排放管的端部处的排放开口在处理室的中心轴上。