公开(公告)号：CN101024882B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610064332.1

申请日：2006-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相溶 ,  洪昌基 ,  沈雨宽

IPC: C23F1/24 ,  H01L21/306

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

Abstract: 提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸铵(CH3COONH4)、碘氧化剂、氢氟酸(HF)和水；其中，氢氟酸的含量为0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；醋酸的含量为0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；醋酸铵的含量为0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；碘氧化剂的含量为0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；以及，水的含量为90wt％或更少。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。

公开(公告)号：CN101577226A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137129.6

申请日：2009-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  金伶厚 ,  洪昌基 ,  李根泽 ,  李在东 ,  严大弘 ,  韩政男

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。

公开(公告)号：CN101024882A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610064332.1

申请日：2006-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相溶 ,  洪昌基 ,  沈雨宽

IPC: C23F1/24 ,  H01L21/306

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

Abstract: 提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸铵(CH3COONH4)、碘氧化剂、氢氟酸(HF)和水。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。

公开(公告)号：CN1949482A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610132163.0

申请日：2006-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  吴政玟 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852

Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。

公开(公告)号：CN1825541A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005803.1

申请日：2006-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世罗 ,  裵根熙 ,  洪昌基 ,  朴正宪 ,  李在东 ,  郑明浩 ,  具珠善 ,  朴俊相 ,  金荣玉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897

Abstract: 在一个方面，提供一种自－对准的接触方法，其中衬底具有在衬底表面上隔开的多个结构，以及在该多个结构上和该多个结构之间淀积牺牲膜，牺牲膜的材料具有给定的承受温度。牺牲膜被构图，以露出邻近多个结构的衬底部分。在牺牲膜和衬底的露出部分上淀积绝缘层，绝缘层的淀积包括在低于牺牲膜材料的承受温度的温度下的热处理。绝缘层被平整，以露出牺牲膜，和牺牲膜被除去，以露出多个结构之间的各个区域。多个结构之间的各个区域用导电材料填充。

公开(公告)号：CN1733856A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510084580.8

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成俊 ,  朴正宪 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: C09G1/00 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂、氧化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采用具有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。

公开(公告)号：CN1108805A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。

公开(公告)号：CN1028817C

公开(公告)日：1995-06-07

申请号：CN92112536.4

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  安容彻

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸沸液及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基底上沉积含有高浓度的硼元素及磷元素的绝缘膜，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理，以及在低温下进行回流处理。

公开(公告)号：CN101643648A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910164078.6

申请日：2009-08-10

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金古恩 ,  李晓山 ,  朴明国 ,  梁浩锡 ,  韩政男 ,  洪昌基

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。

公开(公告)号：CN100526409C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200410101122.6

申请日：2004-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在光 ,  李在东 ,  洪昌基

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt%的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。