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公开(公告)号：CN103000220B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210324904.0
申请日：2012-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L29/78684 , G11C29/12005
Abstract: 半导体器件和操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：电压产生器，被配置为产生测试电压；石墨烯晶体管，被配置为基于测试电压接收栅极-源极电压；以及检测器，被配置为检测栅极-源极电压是否是石墨烯晶体管的狄拉克电压，并输出施加于电压产生器的反馈信号，其指示栅极-源极电压是否是狄拉克电压。
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公开(公告)号：CN103824580A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310391990.1
申请日：2013-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: H04N19/50 , G11C11/41 , G11C14/009 , G11C29/028 , H03K19/17748 , H03K19/17772 , H03K19/17776 , H04N19/17
Abstract: 提供一种逻辑设备，包括：功能块，可配置为执行相应于多个操作模式的操作；配置块，用于配置该功能块以使得由该功能块执行相应于所述多个操作模式的任何一个的操作；以及控制器，用于控制该配置块以使得功能块执行相应于所述多个操作模式的任何一个的操作。
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公开(公告)号：CN103312148A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210321399.4
申请日：2012-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02M1/44 , H02M1/08 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H03K17/687 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H02M1/08 , H02M3/337 , H03K2217/0036 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081
Abstract: 一种电源管理芯片和包括该电源管理芯片的电源管理器件。电源管理芯片包括：至少一个功率开关；以及驱动器单元，其用于生成用于控制该功率开关的驱动信号，并包括在与该功率开关相同的衬底上形成的一个或多个电路单元。
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公开(公告)号：CN102569642A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110404641.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。
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公开(公告)号：CN1302088A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00135548.1
申请日：2000-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区,用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569642B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110404641.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。
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公开(公告)号：CN102065247B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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公开(公告)号：CN102065247A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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公开(公告)号：CN1177370C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN00135548.1
申请日：2000-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区，用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。
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