公开(公告)号：CN104425529A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410396055.9

申请日：2014-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升协 ,  金善日 ,  金暎 ,  金昌桢

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T1/24 ,  G01N23/04 ,  G01T1/2023 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/085 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/202

Abstract: 辐射探测器可以包括：第一光电导体层，包括多个光敏颗粒；和/或第二光电导体层，在第一光电导体层上，并且包括通过晶体生长光敏材料获得的多个晶体。第一光电导体层的多个光敏颗粒中的至少一些可以填充第二光电导体层的多个晶体之间的间隙。一种制造辐射探测器的方法可以包括：通过向第一基板施加软膏而形成第一光电导体层，所述软膏包括与多个光敏颗粒混合的溶剂；通过在第二基板上晶体生长光敏材料而形成第二光电导体层；在第一光电导体层上按压晶体生长的第二光电导体层，所述第一光电导体层被施加到第一基板；和/或经由干燥工艺去除第一光电导体层中的溶剂。

公开(公告)号：CN103579500A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310349372.0

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京旻 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  金成镐 ,  金世珍 ,  李承烈 ,  张晚 ,  赵银珠

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145

Abstract: 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。

公开(公告)号：CN103247693A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310047408.X

申请日：2013-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  安承彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L29/45 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。

公开(公告)号：CN103107283A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210447188.5

申请日：2012-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  金英培 ,  金京旻 ,  金昌桢 ,  李东洙 ,  李明宰 ,  李承烈 ,  张晚

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。

公开(公告)号：CN102997993A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210186006.3

申请日：2012-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  金暎 ,  全镕宇 ,  金昌桢

IPC: G01J1/44 ,  G06F3/042 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103

Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。

公开(公告)号：CN102982842A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210213817.8

申请日：2012-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张晚 ,  金英培 ,  李东洙 ,  李昌范 ,  李承烈 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  金京旻

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2211/5625 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件的可靠性得到改善。所述方法包括：把第一电压施加于可变电阻元件以便把可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变到第二电阻值，其中，第一电阻值和第二电阻值不同；感测流过被施加了第一电压的可变电阻元件的第一电流；基于第一电流的散布，调制用于把可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变到第一电阻值的第二电压；和，基于第一电流的散布，把第一电压再次施加于可变电阻元件。

公开(公告)号：CN102956822A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210211660.5

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承烈 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  许智贤 ,  李东洙 ,  张晚 ,  李昌范 ,  金京旻

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。

公开(公告)号：CN101681925B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880021283.0

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  金尚昱 ,  金善日

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。薄膜晶体管(TFT)包括含有这样的氧化物半导体的沟道，所述氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。

公开(公告)号：CN101681933A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020930.6

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  李银河 ,  朴永洙 ,  朴宰彻

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。

公开(公告)号：CN101630692A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910140008.7

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。