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公开(公告)号：CN102956822A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210211660.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。
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公开(公告)号：CN104425620A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410443424.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ-Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN102386325A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110130691.3
申请日：2011-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。
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公开(公告)号：CN102376886A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110153471.2
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。
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公开(公告)号：CN102347443A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101290969A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710185796.2
申请日：2007-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种存储节点，具有存储节点的相变存储器件，制造相变存储器件的方法以及操作相变存储器件的方法。相变存储器件包括开关器件和连接到开关器件的存储节点。存储节点包括底部电极，形成在底部电极上的相变层，形成在相变层上的材料层以及围绕材料层形成在相变层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN1268178C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310118192.8
申请日：2003-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05H1/46 , C23F4/04 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供了一种等离子体发生系统。该等离子体发生系统包括：一个微波发生器，用于产生微波；一个折射器，它通过改变上述微波的传播方向以平面波的形式传送上述微波；一个电磁单元，用以对上述微波形成的等离子体施加磁场并使之产生电子回旋谐振。
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公开(公告)号：CN102568582A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110390449.X
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C2013/0073
Abstract: 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以使得将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值；感测流过施加了第一电压的可变电阻器件的第一电流；确定第一电流是否属于第一电流范围；以及如果第一电流不属于第一电流范围，则向可变电阻器件施加等于第一电压的附加第一电压。
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公开(公告)号：CN101252169A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810009506.3
申请日：2008-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件在其存储节点中包括相变层，还包括：底部电极；安置在底部电极上、由相变材料制成的底部电极接触层；安置在底部电极接触层上、宽度小于底部电极接触层的第一相变层；安置在第一相变层上、宽度大于第一相变层的第二相变层；以及安置在第二相变层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN102347443B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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