公开(公告)号：CN107968119B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201710217824.8

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  朴美善 ,  梁炆承 ,  李承勋 ,  P.唐

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。

公开(公告)号：CN115881780A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210712796.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金锡勳 ,  高到贤 ,  金正泽 ,  梁炆承 ,  李相吉 ,  郑揟珍

IPC: H01L29/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，设置在有源图案上，其中，沟道图案包括竖直堆叠并彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；以及栅电极，设置在半导体图案上。栅电极包括分别置于半导体图案之间的多个部分，源极/漏极图案包括与半导体图案接触的缓冲层和设置在缓冲层上的主层。缓冲层包含硅锗(SiGe)，并且包括第一半导体层和在第一半导体层上的第一回流层。第一回流层的锗浓度小于第一半导体层的锗浓度。

公开(公告)号：CN114725201A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111493819.2

申请日：2021-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  郑㥠珍

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括：有源图案，其包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；栅极结构，其位于下部图案上，并且包括围绕片状图案的栅电极，栅电极在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及源极/漏极图案，其在下部图案上并且与片状图案接触。片状图案与源极/漏极图案之间的接触表面在第二方向上具有第一宽度，并且片状图案在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN117174743A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310993280.X

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  朴美善 ,  梁炆承 ,  李承勋 ,  P·唐

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。半导体图案包括朝向栅电极凹陷并设置在第一间隔物上的第一部分以及设置在第一部分上并设置在第一线图案上的第二部分。

公开(公告)号：CN104425620B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201410443424.5

申请日：2014-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  李明宰 ,  赵成豪 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  大卫·徐 ,  梁炆承 ,  李商文 ,  李成训 ,  许智贤 ,  黄义澈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。

公开(公告)号：CN104425492B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201410442976.4

申请日：2014-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ‑Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。

公开(公告)号：CN104600070A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601952.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02645 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。

公开(公告)号：CN114628491A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111211674.2

申请日：2021-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉姬 ,  郑谞珍 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  河龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，位于衬底上；至少一个纳米片，具有面对鳍顶的底表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及源极/漏极区，位于所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且与所述至少一个纳米片接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层的顶表面包括下刻面，所述下刻面在其在从所述至少一个纳米片到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降的，并且所述上主体层包括与所述下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面。对于垂直截面，所述下刻面沿着相应的第一线延伸，所述上刻面沿着与所述第一线相交的第二线延伸。

公开(公告)号：CN105826387B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN201610037286.X

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩惠 ,  金善政 ,  李承勋 ,  李炫姃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。

公开(公告)号：CN112086515A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010500249.4

申请日：2020-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔恩憓 ,  姜承模 ,  金正泽 ,  梁炆承 ,  柳宗烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：绝缘层，位于基底上；沟道半导体图案，堆叠在绝缘层上并且彼此竖直地间隔开；栅电极，与沟道半导体图案交叉；源/漏区，分别处于栅电极的两侧处并且通过沟道半导体图案彼此连接，源/漏区具有凹入的底表面；以及气隙，位于绝缘层与源/漏区的底表面之间。