公开(公告)号：CN107968119A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710217824.8

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  朴美善 ,  梁炆承 ,  李承勋 ,  P.唐

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L23/5283 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/4232

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。

公开(公告)号：CN107968119B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201710217824.8

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  朴美善 ,  梁炆承 ,  李承勋 ,  P.唐

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。