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公开(公告)号：CN107968119B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710217824.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
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公开(公告)号：CN116072678A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310119081.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。
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公开(公告)号：CN111987160A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010379007.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 描述了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；有源区，所述有源区从所述衬底突出并在第一方向上延伸；多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述有源区上，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上彼此间隔开；隔离膜，所述隔离膜设置在所述多个沟道层中的最下面的沟道层与所述有源区之间；栅电极，所述栅电极围绕所述多个沟道层并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和源极/漏极区，所述源极/漏极区设置在所述栅电极的至少一侧并连接到所述多个沟道层中的每个沟道层。所述隔离膜设置在比所述源极/漏极区的底表面高的水平高度。
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公开(公告)号：CN112530944A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010643649.0
申请日：2020-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一方向延伸；多个半导体图案，与鳍型有源区的上表面分开设置，所述多个半导体图案均包括沟道区；栅电极，围绕所述多个半导体图案，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且包括主栅电极和子栅电极，其中所述主栅电极设置在所述多个半导体图案中的最上方半导体图案上并在第二方向上延伸，且所述子栅电极设置在多个半导体图案之间；第一间隔结构，设置在所述主栅电极的两个侧壁上；以及源极区/漏极区，与所述多个半导体图案相连，设置在所述栅电极的两侧，并接触所述间隔结构的底表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427871B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201810596906.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含衬底；堆叠在衬底上的多个沟道层；围绕多个沟道层的栅极电极；以及在栅极电极的相对侧上的嵌入式源极/漏极层。嵌入式源极/漏极层各自具有第一区域及在第一区域上的第二区域。第二区域具有具备不同成分的多个层。
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公开(公告)号：CN109494157A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811062733.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/28132 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78696 , H01L29/7854 , H01L29/0653 , H01L29/66795
Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
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公开(公告)号：CN107546258A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710479728.0
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0669 , H01L29/1033 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件包括：第一多沟道有源图案，其从衬底突出并具有第一高度；第二多沟道有源图案，其在衬底上、与衬底间隔开、并具有小于第一高度的第二高度；以及栅电极，其在衬底上、交叉第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案。
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公开(公告)号：CN107452799A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710362546.5
申请日：2017-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/775 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/775 , H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/42356 , H01L29/66477
Abstract: 本公开涉及晶体管及半导体器件。一种晶体管包括漏极、源极、栅电极以及源极和漏极之间的纳米线。该纳米线具有有第一厚度的第一部分和有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。第二部分在第一部分与源极和漏极中的至少一个之间。当电压被施加到栅电极时，第一纳米线包括沟道。
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公开(公告)号：CN110556304B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910410715.7
申请日：2019-05-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , G06F30/333 , G06F30/39 , G06F119/18
Abstract: 提供了一种用于制造具有改善的掺杂分布的半导体器件的方法。该方法包括：提供测量目标，该测量目标包括具有多个层的第一区域；将第一输入信号输入到测量目标中并测量所得到的第一输出信号，例如透射通过第一区域或被第一区域反射的第一输出电场随时间的变化。基于包括多个第一建模层的第一结构信息和关于多个第一建模层中的每个建模层的掺杂浓度的信息的第一模型，计算第二输出信号。当比较第一输出信号和第二输出信号的结果小于阈值时，可以基于第一模型来估计测量目标的三维模型。这种非破坏性测量可用于确定对应于理想掺杂分布的制造工艺参数，并用于制造实现这种制造工艺参数的半导体器件。
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