公开(公告)号：CN106298540B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510781155.8

申请日：2015-11-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨育佳 ,  叶致锴 ,  柯志欣 ,  吴政宪 ,  陈亮吟 ,  于雄飞 ,  陈燕铭 ,  杨建伦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 提供了一种方法，包括：在半导体鳍上形成硅覆盖层；在硅覆盖层上方形成界面层；在界面层上方形成高k栅极介电层；以及在高k栅极介电层上方形成脱氧金属层。然后，对硅覆盖层、界面层、高k栅极介电层、和脱氧金属层执行退火。填充金属沉积在高k栅极介电层上方。本发明还提供了一种具有脱氧栅极堆叠件的多栅极场效应晶体管。

公开(公告)号：CN104900521B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410077191.1

申请日：2014-03-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7849 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干凹槽；在所述半导体衬底表面形成缓冲层，所述缓冲层填充满凹槽并覆盖半导体衬底表面；刻蚀部分厚度的缓冲层，形成鳍部；在鳍部周围的缓冲层上形成绝缘层，所述绝缘层的表面低于鳍部的顶部表面；在鳍部表面形成沟道层；在部分绝缘层表面和部分沟道层表面形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的沟道层内形成源漏区。上述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN107017251A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610900212.4

申请日：2016-10-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金成洙 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0886

摘要： 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。

公开(公告)号：CN106653851A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610948671.X

申请日：2016-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金成洙 ,  朴起宽 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  闵宣基

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。

公开(公告)号：CN106549017A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610833846.2

申请日：2016-09-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林夏珍 ,  朴起宽 ,  金元洪

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/51 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7854

摘要： 提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。

公开(公告)号：CN106486483A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610791568.9

申请日：2016-08-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  金基一

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854

摘要： 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。

公开(公告)号：CN106206576A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610366218.8

申请日：2016-05-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854

摘要： 提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。

公开(公告)号：CN103187412B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110456995.9

申请日：2011-12-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 甘正浩 ,  三重野文健 ,  冯军宏

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0274 ,  H01L29/7854

摘要： 一种半导体防静电保护结构，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部具有圆弧形表面，所述鳍部和衬底掺杂有P型杂质离子，覆盖所述鳍部的圆弧形表面的栅极，位于所述鳍部两端且位于所述半导体衬底表面的源区和漏区，所述源区和漏区掺杂有N型杂质离子，其中，所述源区、半导体衬底、栅极接地，所述漏区与外电路相连接。由于所述鳍部的表面积大于现有技术的源漏区之间衬底的面积，单位面积上流过的漏极电流较小，所述鳍部的温度较低，不容易使得鳍部和栅极烧毁。且由于所述鳍部具有圆弧形的表面，不会出现局部流过的电流较大，不会使得局部区域产生的热量过大，避免使得鳍部和栅极结构烧毁。

公开(公告)号：CN102217074B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN200980145755.8

申请日：2009-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 乔尔本·多恩柏斯 ,  罗伯特·兰德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： 一种鳍式场效应晶体管，它的鳍(12)具有一上部分(30)与一下部分(32)，上部分(30)进行了第一导电类型的掺杂，下部分(32)进行了第二导电类型的掺杂；其中上部分(30)与下部分(32)之间的结(34)作为二极管；鳍式场效应晶体管还包括：至少一层高k介电材料层(26，28)(例如，Si3N4)，相邻于鳍(12)的至少一侧，当上部分(30)连接到一第一电位且下部分(32)连接到一第二电位从而产生穿过结(34)的电位降时，相较于如果不存在该至少一层高k介电材料层的情况，该至少一层高k介电材料层(26，28)用于更均匀地重新分配该二极管上的电位降。高k介电材料的k值例如是k≥5，k≥7.5，与k≥20。

公开(公告)号：CN102723366A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210249289.1

申请日：2008-02-22

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  中本圭一 ,  金田久隆 ,  水野文二

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7854 ,  H01L29/66803

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r’大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。