公开(公告)号：CN105097510B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201410155750.6

申请日：2014-04-17

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/336

摘要： 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在第一区域上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅介质层和伪栅极；在所述第二区域上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅介质层和第二栅极，所述伪栅介质层的厚度小于第二栅介质层的厚度，所述伪栅极与第二栅极的顶部表面齐平；在伪栅结构和第二栅极结构侧壁表面形成侧墙；在衬底上形成第一介质层；去除所述伪栅结构，在第一区域上形成凹槽；在所述凹槽内形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括位于所述凹槽内壁表面的第一栅介质层和位于所述第一栅介质层表面且填充满所述凹槽的第二栅极结构。所述方法可以提高核心区的晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104952921B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201410114598.7

申请日：2014-03-25

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成间隔堆叠的若干绝缘层和若干伪栅极层；在所述绝缘层和伪栅极层内形成通孔，所述通孔底部位于基底表面；在所述通孔内壁表面形成沟道层；去除所述伪栅极层，形成相邻绝缘层之间的凹槽；在所述凹槽内壁表面以及沟道层表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成填充满凹槽以及通孔的栅极。上述方法可以提高晶体管的集成度。

公开(公告)号：CN104733609B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201310713307.1

申请日：2013-12-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

摘要： 一种半导体结构及其形成方法、电阻存储器，其中半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域的半导体衬底上形成第一伪栅，在第二区域的半导体衬底上形成第二伪栅；形成覆盖半导体衬底的介质层，所述介质层的表面与第一伪栅和第二伪栅的表面平齐；去除第一伪栅，形成第一凹槽；在第一凹槽内形成金属栅极；去除第二伪栅，形成第二凹槽；在第二凹槽内形成电阻存储器，所述电阻存储器包括：位于第二凹槽的侧壁和底部的第一金属层、位于第一金属层表面的阻变层、位于阻变层表面的第二金属层。本发明的方法使得晶体管的制作工艺与电阻存储器的制作工艺兼容，节约了制作成本。

公开(公告)号：CN104952730B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201410113740.6

申请日：2014-03-25

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成凸起的栅极；在所述栅极的侧壁表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成沟道层；在所述基底表面形成介质层；在所述栅极两侧的介质层内形成第一通孔，所述第一通孔与沟道层之间具有部分介质层；在所述第一通孔内形成背栅极。上述方法形成的半导体结构，具有较高的沟道长度的同时可以通过背栅极对沟道层施加电压，调整晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN103854987B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201210514547.4

申请日：2012-12-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285

摘要： 一种伪栅的形成方法、选择性沉积硅的方法和插塞的形成方法，其中所述伪栅的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸出的鳍部，所述鳍部之间具有隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；在所述鳍部和所述隔离结构表面旋涂聚硅烷层，所述聚硅烷层覆盖所述鳍部和所述隔离结构；对所述聚硅烷层退火，使所述聚硅烷层转化为非晶硅层；刻蚀所述非晶硅层，形成位于所述鳍部和所述隔离结构上的伪栅。本发明的伪栅的形成方法在鳍部和隔离结构上形成的伪栅的顶表面高度相同。

公开(公告)号：CN104425276B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310398715.2

申请日：2013-09-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/785

摘要： 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有侧壁倾斜的伪鳍部，所述伪鳍部的顶部宽度小于底部宽度；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与伪鳍部的表面齐平；去除部分高度的伪鳍部，形成凹槽；在所述凹槽内沉积半导体材料形成外延层，所述外延层的表面与介质层的表面齐平。上述鳍式场效应晶体管的形成方法能够提高形成的鳍式场效应晶体管晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104064453B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310093717.0

申请日：2013-03-21

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极，所述栅极覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；形成覆盖所述鳍部和所述栅极的侧墙材料层；对覆盖所述鳍部的侧墙材料层进行离子注入，形成改质侧墙材料层，所述改质侧墙材料层的刻蚀速率大于所述侧墙材料层的刻蚀速率；去除覆盖所述鳍部的改质侧墙材料层和位于所述栅极顶表面的侧墙材料层，形成位于所述栅极两侧的侧墙。本发明的鳍式场效应晶体管的形成方法在形成侧墙时，不会在鳍部的底部两侧残余侧墙材料，有利于提高晶体管性能。

公开(公告)号：CN104217992B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310222193.0

申请日：2013-06-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41

摘要： 一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层、包括金属栅电极层的栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧墙，其中所述栅极结构、侧墙位于所述层间介质层内并与层间介质层表面齐平，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；去除栅极结构中部分厚度的金属栅电极层，形成开口；形成覆盖所述开口底部、但暴露出开口侧壁的过渡金属层；形成覆盖所述过渡金属层表面、并与所述层间介质层表面齐平的盖帽层；形成盖帽层后，形成贯穿所述层间介质层厚度，并分别与源区和漏区电连接的导电插塞。有效避免了金属栅电极层和导电插塞之间短路所造成的半导体器件的性能受影响的问题。

公开(公告)号：CN104124210B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310156924.6

申请日：2013-04-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的上形成有若干分立的堆叠结构，存储区域的堆叠结构中的第一氧化硅层作为闪存单元的隧穿氧化层、第一多晶硅层作为闪存单元的浮栅；以所述堆叠结构为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底的外围区域和存储区域中形成第一凹槽，外围区域中相邻的第一凹槽之间的半导体衬底构成第一鳍部；在半导体衬底上形成隔离层，刻蚀去除外围区域的部分隔离层；去除外围区域上的堆叠结构，暴露出第一鳍部的顶部表面；在外围区域的第一鳍部的侧壁和顶部表面形成鳍式场效应管的第一栅极结构，在存储区域的浮栅上形成闪存单元的控制栅。形成闪存单元的工艺兼容鳍式场效应管的制作工艺。

公开(公告)号：CN103177938B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110431450.2

申请日：2011-12-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 涂火金 ,  三重野文健

IPC分类号： H01L21/205 ,  G01B11/06 ,  H01L21/66

摘要： 一种硅复合物外延生长厚度的检测方法，包括：将外延生长反应腔降至常温，在该反应腔内进行检测，或在保护气体保护下将生长硅复合物外延层的基片从外延生长反应腔移入另外的常温腔室内进行检测，所述检测包括：使用傅氏转换红外线光谱仪检测所述硅复合物中的成分及各元素的含量，使用椭圆偏光法检测所述生长的硅复合物的厚度；其中，如果所述厚度满足需求，则停止生长；如果所述厚度不满足需求，在所述外延生长反应腔内进行检测时，升温继续使硅复合物生长，在所述另外的常温腔室内进行检测时，在所述保护气体的保护下重新移入所述反应腔内，继续使硅复合物生长。采用本发明的技术方案，可以实现在线检测。