用于极紫外光刻的相移掩模

    公开(公告)号:CN113534598B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202110096801.2

    申请日:2021-01-25

    Abstract: 用于极紫外光刻工艺的相移掩模包括衬底、位于所述衬底上的反射层、位于所述反射层上的覆盖层和位于所述覆盖层上的相移图案。每个所述相移图案可以包括位于所述覆盖层上的下吸收图案和位于所述下吸收图案上的上吸收图案。所述上吸收图案的折射率可以高于所述下吸收图案的折射率,并且所述上吸收图案的厚度小于所述下吸收图案的厚度。

    半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110875393B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN201910500036.9

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底,基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间,与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸,并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间,第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。

    半导体器件
    3.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114664825A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202111457413.9

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 一种半导体器件包括:设置在衬底上的第一有源图案;填充限定第一有源图案的沟槽的器件隔离层;设置在第一有源图案上的第一沟道图案和第一源极/漏极图案,其中第一沟道图案包括被堆叠并彼此间隔开的半导体图案;延伸并跨越第一沟道图案的栅电极;设置在第一沟道图案和栅电极之间的栅极电介质层;以及设置在器件隔离层和第一有源图案的第一侧壁之间的第一钝化图案。第一钝化图案包括从器件隔离层向上突出的上部和掩埋在器件隔离层中的下部。栅极电介质层覆盖第一钝化图案的上部。

    半导体器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110875393A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910500036.9

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底,基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间,与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸,并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间,第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。

    用户装置的情景感知服务提供方法和设备

    公开(公告)号:CN109739469A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201910012868.6

    申请日:2013-09-22

    Abstract: 提供了一种用户装置的情景感知服务提供方法和设备,所述情景感知服务提供方法和设备根据用户定义的规则识别用户情景并执行与用户情景相应的动作,并且将执行结果交互地反馈给用户。用于提供情景感知服务的方法包括:接收用户输入,用户输入为文本输入和语音输入中的至少一个;基于接收的用户输入识别包括条件和与所述条件相应的动作的规则;激活规则以检测与所述规则的条件相应的情景;当检测到所述情景时执行与所述条件相应的动作。

    用户装置的情景感知服务提供方法和设备

    公开(公告)号:CN103677261B

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201310432058.9

    申请日:2013-09-22

    Abstract: 提供了一种用户装置的情景感知服务提供方法和设备,所述情景感知服务提供方法和设备根据用户定义的规则识别用户情景并执行与用户情景相应的动作,并且将执行结果交互地反馈给用户。用于提供情景感知服务的方法包括:接收用户输入,用户输入为文本输入和语音输入中的至少一个;基于接收的用户输入识别包括条件和与所述条件相应的动作的规则;激活规则以检测与所述规则的条件相应的情景;当检测到所述情景时执行与所述条件相应的动作。

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