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公开(公告)号：CN105448911B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201510603877.4
申请日：2015-09-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，并包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，并且穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，并且穿过层间绝缘层和缓冲层。
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公开(公告)号：CN105448911A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510603877.4
申请日：2015-09-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，并包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，并且穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，并且穿过层间绝缘层和缓冲层。
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公开(公告)号：CN116057003A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180063074.8
申请日：2021-08-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： B67D1/08
摘要： 本发明的净水器查看关于由温度检测单元检测的容纳在水箱中的冷却剂的温度的冷却剂温度信息，基于查看到的冷却剂温度信息，执行其中压缩机和搅拌器同时操作的第一模式使得冷却剂的温度能够被冷却到低于预设制冰温度，执行使搅拌器停止并保持压缩机操作达预设制冰温度的第二模式使得当冷却剂被冷却到低于预设制冰温度时能够在水箱中在蒸发器周围产生冰，以及当从搅拌器的操作停止时的时间起已经过去预设制冰时间时，执行使搅拌器再次操作的第三模式使得搅拌器和压缩机同时操作，从而使在蒸发器周围的冰保持在冻结状态。
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公开(公告)号：CN101101890A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710137953.2
申请日：2007-06-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76846
摘要： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法及由此制造的半导体器件。该制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成栅电极；在所述半导体衬底中形成源/漏区域使得源/漏区域位于每个所述栅电极的两侧；通过在形成有栅电极和源/漏区域的半导体衬底上蒸镀镍或镍合金且然后对镍或镍合金进行热处理，在所述栅电极和所述源/漏区域表面上形成镍硅化物层；在执行上述工艺后获得的表面上形成层间绝缘层，该层间绝缘层形成有接触孔，所述镍硅化物层的表面通过所述接触孔暴露；通过蒸镀难熔金属保形地沿着所述接触孔形成欧姆层，该难熔金属在500℃或更高的温度转化为硅化物；保形地沿着所述接触孔在所述欧姆层上形成扩散阻挡层；以及通过在所述接触孔中填埋金属材料而形成金属层。
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公开(公告)号：CN118899295A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311712262.6
申请日：2023-12-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/538
摘要： 一种半导体器件包括：模制层，所述模制层限定沟槽；以及导电结构，所述导电结构设置在所述沟槽上。所述导电结构包括导电层和衬垫，并且所述导电层包括上部和下部。所述衬垫包括基体部和位于所述基体部上的侧壁部，并且所述导电层的所述上部设置在比所述衬垫的所述侧壁部高的高度。所述衬垫的所述侧壁部介于所述导电层的所述下部与所述模制层之间，并且所述衬垫的所述基体部的顶表面与所述导电层的所述下部的底表面接触。所述衬垫的所述侧壁部的宽度随着高度增大而减小。
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公开(公告)号：CN105870167B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201610083064.1
申请日：2016-02-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/088
摘要： 本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：源极/漏极区域，其具有在其顶部中的凹陷；接触插塞，其在源极/漏极区域上从凹陷内部延伸；以及金属硅化物层，其用作凹陷的衬里，并具有覆盖接触插塞的底面的第一部分和与第一部分成一体并覆盖接触插塞的侧面的下部的第二部分。硅化物层的第二部分可以具有与硅化物层的第一部分的厚度不同的厚度。硅化物层在相对低的温度形成，以在源极/漏极区域与接触插塞之间提供改善的电阻特性。
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公开(公告)号：CN105870167A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610083064.1
申请日：2016-02-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC分类号： H01L29/41791 , H01L21/76805 , H01L21/76846 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1604 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L2029/7858 , H01L27/0886 , H01L29/1033 , H01L29/42356
摘要： 本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：源极/漏极区域，其具有在其顶部中的凹陷；接触插塞，其在源极/漏极区域上从凹陷内部延伸；以及金属硅化物层，其用作凹陷的衬里，并具有覆盖接触插塞的底面的第一部分和与第一部分成一体并覆盖接触插塞的侧面的下部的第二部分。硅化物层的第二部分可以具有与硅化物层的第一部分的厚度不同的厚度。硅化物层在相对低的温度形成，以在源极/漏极区域与接触插塞之间提供改善的电阻特性。
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公开(公告)号：CN100576494C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610007141.1
申请日：2006-02-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/31144 , H01L21/76808 , H01L21/76844 , H01L21/76849 , H01L21/7685
摘要： 本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。
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公开(公告)号：CN1835206A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610007141.1
申请日：2006-02-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/31144 , H01L21/76808 , H01L21/76844 , H01L21/76849 , H01L21/7685
摘要： 本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。
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