公开(公告)号：CN101140928A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710149125.0

申请日：2007-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宣姃 ,  慎烘载 ,  徐凤锡

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66515 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明示例性实施例公开了一种防止栅分隔件应力及对硅化物区的物理和化学损坏的半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底；隔离区，形成在基底中；栅图案，在基底上形成在隔离区之间；L形分隔件，与栅图案的侧壁相邻，并延伸到基底的表面；源/漏硅化物区，在L形分隔件的延伸到基底的表面的端部和隔离区之间形成在基底上；通孔塞，与源/漏硅化物区电连接；层间电介质层，与L形分隔件相邻，并填充形成在栅图案和基底上的通孔塞之间的空间；信号传输线，形成在层间电介质层上。