公开(公告)号：CN118899295A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202311712262.6

申请日：2023-12-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳东坤 ,  李宣姃 ,  黄桢元 ,  孔榠浒 ,  河龙湖

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538

摘要： 一种半导体器件包括：模制层，所述模制层限定沟槽；以及导电结构，所述导电结构设置在所述沟槽上。所述导电结构包括导电层和衬垫，并且所述导电层包括上部和下部。所述衬垫包括基体部和位于所述基体部上的侧壁部，并且所述导电层的所述上部设置在比所述衬垫的所述侧壁部高的高度。所述衬垫的所述侧壁部介于所述导电层的所述下部与所述模制层之间，并且所述衬垫的所述基体部的顶表面与所述导电层的所述下部的底表面接触。所述衬垫的所述侧壁部的宽度随着高度增大而减小。

公开(公告)号：CN116247086A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211071365.4

申请日：2022-09-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李将银 ,  卢孝贞 ,  宋珉宇 ,  河龙湖 ,  黄桢元

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/40

摘要： 提供了一种制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成沟槽；在所述沟槽上形成栅极电介质层；在所述栅极电介质层上形成栅极层；以及对所述栅极电介质层和所述栅极层进行第一退火，其中，在所述第一退火的操作之后，所述栅极层包含钼‑钽合金。