公开(公告)号：CN107393917B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201710264659.1

申请日：2017-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  柳庚玟

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅线和第二栅线，在鳍型有源区域上彼此平行地在第二方向上延伸，第二方向不同于第一方向；第一绝缘覆盖层，覆盖第一栅线的上表面并平行于第一栅线延伸；第二绝缘覆盖层，覆盖第二栅线的上表面并平行于第二栅线延伸，其中第一栅线的高度和第二栅线的高度彼此不同。

公开(公告)号：CN106469749A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610669304.6

申请日：2016-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  柳庚玟 ,  姜尚求

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/42316

Abstract: 提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。

公开(公告)号：CN116913965A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310362129.6

申请日：2023-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白奉官 ,  林俊赫 ,  千正焕 ,  韩奎熙 ,  白宗玟 ,  柳庚玟 ,  申定候 ,  张相信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN106469749B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201610669304.6

申请日：2016-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  柳庚玟 ,  姜尚求

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。

公开(公告)号：CN107039432A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610916290.3

申请日：2016-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  金成洙 ,  金柱然 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0922

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第一比值的第一栅电极；形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第二比值的第二栅电极，其中第二比值小于第一比值；形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物；形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；以及覆盖第一栅间隔物和第二栅间隔物的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN106972015A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610944717.0

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  崔正宪 ,  柳庚玟 ,  李宣姃

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。

公开(公告)号：CN118335715A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410031426.7

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  金永吉 ,  姜尚求 ,  姜旼材 ,  柳庚玟 ,  徐训硕 ,  李禹镇

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置包括：装置结构，其包括第一半导体衬底，并且具有在第一方向上延伸的有源图案；导电贯穿件，其电连接到前布线层并且穿透第一半导体衬底，其中第一半导体衬底具有非平坦化的下表面，在非平坦化的下表面中，导电贯穿件周围的外围区域向下弯曲；第一接合结构，其具有平坦化的绝缘层，平坦化的绝缘层设置在第一半导体衬底的第二表面上并且具有平坦化的上表面。

公开(公告)号：CN108336025A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810043583.4

申请日：2018-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  柳齐民

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78696

Abstract: 本申请提供一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其具有第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第一凹陷区，第二有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第二凹陷区；第一绝缘图案，其覆盖第一凹陷区的内侧壁；以及第二绝缘图案，其覆盖第二凹陷区的内侧壁。第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的绝缘材料，并且第一绝缘图案相对于第一凹陷区的容积的体积分数小于第二绝缘图案相对于第二凹陷区的容积的体积分数。

公开(公告)号：CN107017251A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610900212.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。

公开(公告)号：CN106653851A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610948671.X

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  闵宣基

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。