公开(公告)号：CN117253855A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310521771.4

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白奉官 ,  张相信 ,  柳庚玟 ,  白宗玟 ,  申定候 ,  林俊赫 ,  千正焕

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN116913965A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310362129.6

申请日：2023-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白奉官 ,  林俊赫 ,  千正焕 ,  韩奎熙 ,  白宗玟 ,  柳庚玟 ,  申定候 ,  张相信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN115458506A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210639401.6

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成进 ,  白宗玟 ,  郑德泳 ,  林俊赫

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在基板上的蚀刻停止膜；在蚀刻停止膜上的层间绝缘膜；第一沟槽和第二沟槽，在第一方向上间隔开并穿透蚀刻停止膜和层间绝缘膜，第一沟槽和第二沟槽具有暴露层间绝缘膜的侧壁；第一间隔物，覆盖由第一沟槽的侧壁暴露的层间绝缘膜且不覆盖第一沟槽的侧壁的一部分；第二间隔物，覆盖由第二沟槽的侧壁暴露的层间绝缘膜且不覆盖第二沟槽的侧壁的一部分；第一阻挡层，沿着第一间隔物的侧壁、第一沟槽的侧壁的未被第一间隔物覆盖的部分和第一沟槽的底表面延伸；填充第一沟槽的第一填充膜；第二阻挡层，沿着第二间隔物的侧壁、第二沟槽的侧壁的未被第二间隔物覆盖的部分和第二沟槽的底表面延伸；以及填充第二沟槽的第二填充膜。

公开(公告)号：CN116631967A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310148424.1

申请日：2023-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安商熏 ,  吴暻锡 ,  李承宪 ,  林俊赫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件可以包括其中包含多个孔隙的第一层间绝缘膜、在第一层间绝缘膜中的第一线结构、沿着第一层间绝缘膜的上表面且在第一层间绝缘膜的上表面上延伸并且与第一层间绝缘膜接触的插入绝缘膜、与插入绝缘膜接触并沿着插入绝缘膜的上表面和第一线结构的上表面延伸的阻挡绝缘膜、在阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜、以及设置在第二层间绝缘膜中并连接到第一线结构的第二线结构。