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公开(公告)号：CN107887362B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201710911772.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
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公开(公告)号：CN107665855A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710610070.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L23/528 , H01L21/764
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
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公开(公告)号：CN109976097B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811612414.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN108074910B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201711083442.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。
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公开(公告)号：CN112242377A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010684555.8
申请日：2020-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117253855A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310521771.4
申请日：2023-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。
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公开(公告)号：CN107887362A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710911772.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
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公开(公告)号：CN107665855B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201710610070.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
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公开(公告)号：CN109976097A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811612414.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN108074910A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711083442.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76816 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/5222
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。
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