公开(公告)号：CN112242377B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202010684555.8

申请日：2020-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成进 ,  白宗玟 ,  刘禹炅 ,  韩奎熙 ,  金汉城 ,  李长镐 ,  张相信

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。

公开(公告)号：CN112242377A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010684555.8

申请日：2020-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成进 ,  白宗玟 ,  刘禹炅 ,  韩奎熙 ,  金汉城 ,  李长镐 ,  张相信

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。