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公开(公告)号：CN112543901B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201980052410.1
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/01 , G06F3/00 , G06F3/0346 , G06F3/04815 , G06V40/20 , G06T13/40 , G06T7/20
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括：相机；显示器；传感器；存储器；以及处理器，被配置为：通过显示器显示与在使用相机获取的一个或多个图像中包括的外部对象相对应的替身，通过相机和传感器中的至少一个识别外部对象相对于电子装置的位置的改变，基于位置的改变来确定与显示的替身有关的视点，以及通过显示器，基于确定的视点来显示替身。
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公开(公告)号：CN108074910B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201711083442.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。
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公开(公告)号：CN112713134A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010618713.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种集成电路装置。根据发明构思的集成电路装置包括：下布线结构，位于基底上；气隙，布置在下布线结构之间；盖层，覆盖气隙的上表面；蚀刻停止层，共形地覆盖下布线结构的上表面和盖层并且具有突出和凹进结构；绝缘层，覆盖蚀刻停止层；以及上布线结构，穿透绝缘层并且连接到下布线结构的未被覆盖蚀刻停止层的上表面，其中，上布线结构覆盖盖层的上表面的一部分，并且盖层的上表面的水平比下布线结构的上表面的水平高。
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公开(公告)号：CN112242377A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010684555.8
申请日：2020-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。
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公开(公告)号：CN109559967A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811117706.0
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105229570B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201480014071.5
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/01
CPC classification number: G06F3/013 , G06F1/3212 , G06F1/3231 , G06F1/325 , G06F3/012 , G06F3/0304 , Y02D10/173 , Y02D10/174
Abstract: 提供了用于更高效地控制电子设备的屏幕显示的屏幕显示控制方法。一种屏幕显示控制方法包括：确定相机的分辨率；使用以所确定的分辨率操作的相机来识别用户的面部；以及基于所述面部来控制电子设备的屏幕显示。
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公开(公告)号：CN103985740A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410032503.7
申请日：2014-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/4821 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/0001
Abstract: 本发明公开半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底上的第一导电线；以及覆盖第一导电线的第一成型层。第一导电线在相邻的第一导电线之间具有第一间隙和第二间隙。第一成型层的底表面和第一导电线的位于第一成型层的底表面之下的侧壁共同定义第一间隙。第一成型层的顶表面和第一导电线的位于第一成型层的顶表面之上的侧壁共同定义第二间隙。
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公开(公告)号：CN107665855B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201710610070.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
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公开(公告)号：CN110970388A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910810705.2
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；第一绝缘夹层，位于所述衬底上；第一布线，位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中；绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上，所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料；刻蚀停止结构，位于所述第一布线及所述绝缘图案上；第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及通路，延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构，以接触所述第一布线的上表面。
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公开(公告)号：CN110867361A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910534236.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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