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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115565911A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210777663.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了一种半导体处理系统及其控制方法。该半导体处理系统包括：半导体处理室，其包括设置在室外壳中的静电卡盘和用于将第一射频(RF)电力供应至设置在静电卡盘中的内部电极的第一电力供应器；电压测量装置，其测量对应于第一RF电力的电压，以输出数字信号；以及控制装置，当基于数字信号确定电压增大至预定参考范围内时,其将互锁控制信号输出至半导体处理室。静电卡盘被配置为使得晶圆能够安装于静电卡盘的表面上。
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公开(公告)号：CN110867361B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201910534236.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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公开(公告)号：CN117497387A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310902429.9
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元，光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统，并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器，多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像，并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。
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公开(公告)号：CN115954253A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211207798.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于电弧诊断的设备包括第一VI传感器和第二VI传感器、光学传感器和电弧检测器。第一VI传感器设置在电力过滤器中或者设置在连接至设置在工艺室的下电极中的加热器的电源线上，在工艺室中执行等离子体工艺。第一VI传感器感测从向下电极供电的第一电源生成的谐波并且输出第一信号。光学传感器感测从工艺室生成的光的强度并且输出第二信号。第二VI传感器设置在连接至上电极的电源线上并且感测从向上电极供电的第二电源生成的谐波并且输出第三信号。电弧检测器基于第一信号、第二信号和第三信号中的一个或多个确定是否出现电弧。
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公开(公告)号：CN110867361A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910534236.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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