半导体工艺装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117497387A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202310902429.9

    申请日:2023-07-21

    Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元,光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统,并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器,多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像,并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。

    用于电弧诊断的设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115954253A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211207798.8

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 一种用于电弧诊断的设备包括第一VI传感器和第二VI传感器、光学传感器和电弧检测器。第一VI传感器设置在电力过滤器中或者设置在连接至设置在工艺室的下电极中的加热器的电源线上,在工艺室中执行等离子体工艺。第一VI传感器感测从向下电极供电的第一电源生成的谐波并且输出第一信号。光学传感器感测从工艺室生成的光的强度并且输出第二信号。第二VI传感器设置在连接至上电极的电源线上并且感测从向上电极供电的第二电源生成的谐波并且输出第三信号。电弧检测器基于第一信号、第二信号和第三信号中的一个或多个确定是否出现电弧。

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