半导体工艺装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117497387A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202310902429.9

    申请日:2023-07-21

    Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元,光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统,并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器,多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像,并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。

    包括闪烁窗口的等离子体光检测系统

    公开(公告)号:CN119626880A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202410445113.6

    申请日:2024-04-12

    Abstract: 衬底加工装置包括提供加工空间的加工室、位于加工室中并被配置为支撑衬底的工作台、耦合到加工室的一侧的窗口、以及耦合到窗口的一侧表面的闪烁体层。闪烁体层覆盖窗口的一侧表面的一部分,该部分小于整个窗口表面。与窗口的一侧表面的另一部分相对应的第二表面被暴露。由加工空间中的等离子体发射的光穿过窗口并由光学系统收集并进行分析。穿过闪烁体的紫外光被转换为更长波长的光,通常是可见光。将穿过裸露窗口的光与穿过闪烁体层的光进行比较可以对等离子体进行分析。

    用于电弧诊断的设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115954253A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211207798.8

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 一种用于电弧诊断的设备包括第一VI传感器和第二VI传感器、光学传感器和电弧检测器。第一VI传感器设置在电力过滤器中或者设置在连接至设置在工艺室的下电极中的加热器的电源线上,在工艺室中执行等离子体工艺。第一VI传感器感测从向下电极供电的第一电源生成的谐波并且输出第一信号。光学传感器感测从工艺室生成的光的强度并且输出第二信号。第二VI传感器设置在连接至上电极的电源线上并且感测从向上电极供电的第二电源生成的谐波并且输出第三信号。电弧检测器基于第一信号、第二信号和第三信号中的一个或多个确定是否出现电弧。

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