公开(公告)号：CN110867361B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201910534236.6

申请日：2019-06-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金永焘 ,  林成龙 ,  姜璨秀 ,  权度勋 ,  金敏周 ,  南象基 ,  梁正模 ,  皮宗勋 ,  韩奎熙

IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/32

摘要： 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。

公开(公告)号：CN117497387A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310902429.9

申请日：2023-07-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜璨秀 ,  姜大元 ,  南象基 ,  梁正模 ,  任昶淳 ,  张圣虎 ,  皮宗勋 ,  康宁日 ,  金允载 ,  金一宇 ,  金钟武 ,  朴容范

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元，光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统，并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器，多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像，并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。

公开(公告)号：CN115274390A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210291022.2

申请日：2022-03-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 尹贵玹 ,  南象基 ,  徐权相 ,  张圣虎 ,  高廷旼 ,  金南均 ,  金泰铉 ,  白承翰 ,  安昇彬 ,  梁正模 ,  李昌宪 ,  全康民

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。

公开(公告)号：CN110867361A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910534236.6

申请日：2019-06-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金永焘 ,  林成龙 ,  姜璨秀 ,  权度勋 ,  金敏周 ,  南象基 ,  梁正模 ,  皮宗勋 ,  韩奎熙

IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/32

摘要： 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。