公开(公告)号：CN109904121A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811463659.5

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田炳焕 ,  南象基

IPC: H01L21/8242 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成第一晶种图案；在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面同时暴露所述第一纳米棒结构的第一上表面的模制结构。所述第一纳米棒结构可以包括顺序堆叠在所述第一晶种图案上的多个纳米棒。所述多个纳米棒可以包括从所述第一晶种图案生长的最下部的纳米棒和形成在所述最下部的纳米棒上的多个上部纳米棒。所述模制结构可以包括围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面的最下部的模制层和顺序堆叠在所述最下部的模制层上的多个上部模制层。所述多个上部模制层中的至少一个上部模制层由与另一上部模制层的材料不同的材料形成。

公开(公告)号：CN109559967A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811117706.0

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  宣钟宇 ,  韩奎熙 ,  许桄熀 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。

公开(公告)号：CN118629854A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410259754.2

申请日：2024-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  金泰铉 ,  张圣虎 ,  S·G·李

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及一种包括能够均匀地处理半导体衬底的上表面的内部压力控制设备的衬底处理设备。该衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括用于排出流入其中的处理气体的排气孔；位于腔室壳体内部的衬底支撑单元，其支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及环体，其围绕衬底支撑单元安装并被设置为一体；并且还包括控制腔室壳体的内部压力控制设备，其中，内部压力控制设备控制环体的姿势以控制流入腔室壳体的处理气体的排出量。

公开(公告)号：CN118471773A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410029904.0

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光镐 ,  南象基 ,  朴智兑 ,  印成晋 ,  林建熙 ,  张圣虎

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/153 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  G01N21/25

Abstract: 公开了等离子体监测系统。所述等离子体监测系统包括：腔室，具有被配置为在半导体基底上执行等离子体工艺的内部空间，腔室包括观察窗和基底台；光发射器，在观察窗上，并且包括被配置为获得在等离子体工艺期间生成的第一光的多个光纤；可拆卸反射镜，在观察窗与所述多个光纤之间；光生成器，被配置为通过所述多个光纤将第二光照射到反射镜上并且通过所述多个光纤将第三光照射到观察窗上；以及光分析器，被配置为从第一光获得光谱，基于从反射镜反射的第二反射光来校正所述光谱，并且基于从观察窗反射的第三反射光来校正所述光谱。

公开(公告)号：CN118248512A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311186594.5

申请日：2023-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌宪 ,  南象基 ,  尹贵玹 ,  李基浩 ,  李相昊 ,  李相昕 ,  李在民 ,  赵贞贤 ,  崔舒筵

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理设备，该等离子体处理设备包括：位于一腔室中的衬底卡盘；围绕所述衬底卡盘的外周边的约束环；位于所述约束环上的可移动环；和被配置为使所述可移动环移动的致动器，其中，通过所述可移动环的移动来敞开或封闭形成在所述约束环中的开槽。另外，提供了使用该等离子体处理设备的等离子体处理方法。

公开(公告)号：CN117939878A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311271667.0

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李建烨 ,  金东昱 ,  金亮阧 ,  南象基 ,  朴相郁 ,  徐旻揆 ,  李到瑾 ,  张圣虎 ,  洪定杓

IPC: H10B12/00 ,  H10B53/30 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体装置包括：下结构；下结构上的下电极，其中，每下电极包括第一下电极和在第一下电极上并且电连接至第一下电极的第二下电极；覆盖下电极的上电极；以及下电极与上电极之间电介质膜，其中，第一下电极包括柱状部分和在柱状部分上的突出部分，其中，突出部分具有接触第二下电极的复杂形状。

公开(公告)号：CN109698110B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。

公开(公告)号：CN116110769A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211324391.3

申请日：2022-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炫周 ,  南象基 ,  曹永贤

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了等离子体边缘环和包括其的等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置包括等离子体电极、在等离子体电极上的等离子体边缘环、以及在等离子体电极上在蚀刻对象外侧的引导电极。等离子体边缘环提供垂直穿透等离子体边缘环的中心的放置孔、以及在限定放置孔的内侧表面的一部分上的凹陷。凹陷从内侧表面向外凹入。

公开(公告)号：CN110783222A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910531242.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘钒镇 ,  金旼亨 ,  南象基 ,  张原赫 ,  韩奎熙 ,  金永焘 ,  方政民

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种清洗溶液制作系统用于清洗半导体基板。该系统包括：压力罐；等离子体反应罐，被配置为在悬浮在从压力罐获得的减压液体中的气泡中形成等离子体，从而在减压液体中产生自由基物种；存储罐，被配置为存储含有在等离子体反应罐中产生的自由基物种的清洗溶液；以及喷嘴，被配置为将清洗溶液从存储罐供应到半导体基板。

公开(公告)号：CN110783222B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910531242.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘钒镇 ,  金旼亨 ,  南象基 ,  张原赫 ,  韩奎熙 ,  金永焘 ,  方政民

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种清洗溶液制作系统用于清洗半导体基板。该系统包括：压力罐；等离子体反应罐，被配置为在悬浮在从压力罐获得的减压液体中的气泡中形成等离子体，从而在减压液体中产生自由基物种；存储罐，被配置为存储含有在等离子体反应罐中产生的自由基物种的清洗溶液；以及喷嘴，被配置为将清洗溶液从存储罐供应到半导体基板。