公开(公告)号：CN118471773A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410029904.0

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光镐 ,  南象基 ,  朴智兑 ,  印成晋 ,  林建熙 ,  张圣虎

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/153 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  G01N21/25

Abstract: 公开了等离子体监测系统。所述等离子体监测系统包括：腔室，具有被配置为在半导体基底上执行等离子体工艺的内部空间，腔室包括观察窗和基底台；光发射器，在观察窗上，并且包括被配置为获得在等离子体工艺期间生成的第一光的多个光纤；可拆卸反射镜，在观察窗与所述多个光纤之间；光生成器，被配置为通过所述多个光纤将第二光照射到反射镜上并且通过所述多个光纤将第三光照射到观察窗上；以及光分析器，被配置为从第一光获得光谱，基于从反射镜反射的第二反射光来校正所述光谱，并且基于从观察窗反射的第三反射光来校正所述光谱。

公开(公告)号：CN119581357A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411001065.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智兑 ,  李光镐 ,  印成晋 ,  林建煕 ,  金允载 ,  金一宇 ,  南象基 ,  吴世真

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体工艺设备包括：包括腔室的壳体，基板在腔室中被处理；观察口，在壳体的侧壁中；适配器，配置为接收反射光，其中从腔室内部产生的等离子体产生的光在提供于基板的上表面上的结构的表面上的目标位置处被反射；偏振分束器，配置为将从适配器接收的反射光分离成P偏振光和S偏振光；分光镜，配置为分析P偏振光和S偏振光的光谱；以及控制单元，配置为基于分析光谱的结果、基于P偏振光和S偏振光中的每个在一个或更多个波长处随时间的发光强度来监测结构的厚度。