公开(公告)号：CN117497387A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310902429.9

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜璨秀 ,  姜大元 ,  南象基 ,  梁正模 ,  任昶淳 ,  张圣虎 ,  皮宗勋 ,  康宁日 ,  金允载 ,  金一宇 ,  金钟武 ,  朴容范

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元，光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统，并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器，多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像，并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。

公开(公告)号：CN111223869A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910869953.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一宇 ,  安相基 ,  表炫坤 ,  金益秀 ,  朴嬉淑 ,  任智芸

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/1157

Abstract: 在制造竖直存储器装置的方法中，包括氮化物的第一牺牲层形成在衬底上。在第一牺牲层上形成模具，模具包括交替且重复堆叠的绝缘层和第二牺牲层。绝缘层和第二牺牲层分别包括第一氧化物和第二氧化物。穿过模具和第一牺牲层形成沟道。穿过模具和第一牺牲层形成开口以暴露出衬底的上表面。通过开口去除第一牺牲层，以形成第一间隙。形成沟道连接图案以填充第一间隙。将第二牺牲层替换为栅电极。

公开(公告)号：CN108987272B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201711418493.0

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林永大 ,  郑承宰 ,  邦晋荣 ,  金一宇 ,  郑虎吉

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供包括绝缘层的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：衬底；绝缘层和栅电极的叠层结构，所述绝缘层和栅电极交替地并且重复地堆叠在所述衬底上；以及柱，所述柱穿过所述叠层结构。所述绝缘层包括下绝缘层、设置在所述下绝缘层上的中间绝缘层和设置在所述中间绝缘层上的上绝缘层。所述下绝缘层的硬度小于所述中间绝缘层的硬度，并且所述上绝缘层的硬度大于所述中间绝缘层的硬度。

公开(公告)号：CN108987272A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711418493.0

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林永大 ,  郑承宰 ,  邦晋荣 ,  金一宇 ,  郑虎吉

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/40117 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供包括绝缘层的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：衬底；绝缘层和栅电极的叠层结构，所述绝缘层和栅电极交替地并且重复地堆叠在所述衬底上；以及柱，所述柱穿过所述叠层结构。所述绝缘层包括下绝缘层、设置在所述下绝缘层上的中间绝缘层和设置在所述中间绝缘层上的上绝缘层。所述下绝缘层的硬度小于所述中间绝缘层的硬度，并且所述上绝缘层的硬度大于所述中间绝缘层的硬度。

公开(公告)号：CN101269576A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710169166.6

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇郁 ,  金敬镒 ,  朴性俊 ,  金一宇

IPC: B41J2/16

CPC classification number: B41J2/14072 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646

Abstract: 一种制造喷墨打印头的方法，包括：准备具有(110)晶面取向的单晶硅晶片作为基板；在硅基板的前表面形成加热墨水的加热器；在加热器以内形成沟槽；在基板的前表面形成限定墨水通路的流动通道层；在流动通道层上形成具有喷嘴的喷嘴层；以及通过各向异性湿法蚀刻，从基板的后表面到沟槽形成供墨通道。

公开(公告)号：CN119581357A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411001065.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智兑 ,  李光镐 ,  印成晋 ,  林建煕 ,  金允载 ,  金一宇 ,  南象基 ,  吴世真

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体工艺设备包括：包括腔室的壳体，基板在腔室中被处理；观察口，在壳体的侧壁中；适配器，配置为接收反射光，其中从腔室内部产生的等离子体产生的光在提供于基板的上表面上的结构的表面上的目标位置处被反射；偏振分束器，配置为将从适配器接收的反射光分离成P偏振光和S偏振光；分光镜，配置为分析P偏振光和S偏振光的光谱；以及控制单元，配置为基于分析光谱的结果、基于P偏振光和S偏振光中的每个在一个或更多个波长处随时间的发光强度来监测结构的厚度。

公开(公告)号：CN111106125A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910884495.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一宇 ,  罗相虎 ,  崔炳德 ,  金益秀 ,  吴民在

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种制造垂直存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成第一牺牲层，第一牺牲层包括第一绝缘材料；形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料；穿过模制体和第一牺牲层形成沟道；穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面；通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙；形成沟道连接图案以填充第一间隙；以及用栅电极替换第二牺牲层。