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公开(公告)号：CN117497387A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310902429.9
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元，光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统，并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器，多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像，并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。
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公开(公告)号：CN107017176B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710001539.2
申请日：2017-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。
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公开(公告)号：CN107017176A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710001539.2
申请日：2017-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32715 , H01J37/32972 , H04N5/2252 , H01L22/26 , H01J37/32917 , H01L22/10
Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118629854A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410259754.2
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种包括能够均匀地处理半导体衬底的上表面的内部压力控制设备的衬底处理设备。该衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括用于排出流入其中的处理气体的排气孔；位于腔室壳体内部的衬底支撑单元，其支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及环体，其围绕衬底支撑单元安装并被设置为一体；并且还包括控制腔室壳体的内部压力控制设备，其中，内部压力控制设备控制环体的姿势以控制流入腔室壳体的处理气体的排出量。
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公开(公告)号：CN118471773A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410029904.0
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/153 , H01J37/32 , H01L21/67 , G01N21/25
Abstract: 公开了等离子体监测系统。所述等离子体监测系统包括：腔室，具有被配置为在半导体基底上执行等离子体工艺的内部空间，腔室包括观察窗和基底台；光发射器，在观察窗上，并且包括被配置为获得在等离子体工艺期间生成的第一光的多个光纤；可拆卸反射镜，在观察窗与所述多个光纤之间；光生成器，被配置为通过所述多个光纤将第二光照射到反射镜上并且通过所述多个光纤将第三光照射到观察窗上；以及光分析器，被配置为从第一光获得光谱，基于从反射镜反射的第二反射光来校正所述光谱，并且基于从观察窗反射的第三反射光来校正所述光谱。
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公开(公告)号：CN117939878A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311271667.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：下结构；下结构上的下电极，其中，每下电极包括第一下电极和在第一下电极上并且电连接至第一下电极的第二下电极；覆盖下电极的上电极；以及下电极与上电极之间电介质膜，其中，第一下电极包括柱状部分和在柱状部分上的突出部分，其中，突出部分具有接触第二下电极的复杂形状。
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公开(公告)号：CN115954253A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211207798.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于电弧诊断的设备包括第一VI传感器和第二VI传感器、光学传感器和电弧检测器。第一VI传感器设置在电力过滤器中或者设置在连接至设置在工艺室的下电极中的加热器的电源线上，在工艺室中执行等离子体工艺。第一VI传感器感测从向下电极供电的第一电源生成的谐波并且输出第一信号。光学传感器感测从工艺室生成的光的强度并且输出第二信号。第二VI传感器设置在连接至上电极的电源线上并且感测从向上电极供电的第二电源生成的谐波并且输出第三信号。电弧检测器基于第一信号、第二信号和第三信号中的一个或多个确定是否出现电弧。
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公开(公告)号：CN115274390A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210291022.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。
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