公开(公告)号：CN109791894A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780057483.0

申请日：2017-09-18

Applicant: 德卡科技公司

Inventor： 克拉格·必绍普 ,  克里斯多佛·M·斯坎伦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/31 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01074

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及方法可包括：测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的各自的真实位置。确定多个半导体晶粒中的每个的总径向位移。通过根据优先级列表将总径向位移的一部分分步至每个层，将多个半导体晶粒的每个总径向位移分步至每个半导体晶粒的两个或更多层，以形成用于每一层的分布径向位移。可使用每一层的分布径向位移来变换用于多个半导体晶粒的每一层的变换。在多个半导体晶粒的每个上可形成单元特定图案，该单元特定图案含有用于多个层的每个的变换。

公开(公告)号：CN108885995A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021239.9

申请日：2017-03-29

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 高桥至直 ,  加藤惟人

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供使用了含有XF(X为Cl、Br或I)所示的单氟卤素化合物作为主要成分的半导体制造装置的清洁气体组合物的清洁方法，提供通过该单氟卤素化合物，可以不会对处理室或处理容器内部造成损伤地、控制性良好地将堆积于处理室或处理容器内部的不需要的膜清洁的方法。一种清洁方法，其特征在于，在半导体装置的制造中使用的处理室或处理容器的内部，将在处理操作后附着于处理室或处理容器内部的含有Si的堆积物去除时，向该处理室或处理容器内供给XF(X为Cl、Br或I)所示的单氟卤素气体，由此将含有Si的堆积物去除，向处理室或处理容器内供给前述单氟卤素气体时的处理室或处理容器内的温度为400℃以上。

公开(公告)号：CN108885968A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680082674.8

申请日：2016-09-27

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 齐藤一人 ,  八岛司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供能够维持生产率、能够自动地对制程进行执行控制的构成。提供一种构成，其具备：对衬底实施处理的处理室；在真空状态下实施衬底的搬送的第一搬送室；在大气压状态下实施衬底的搬送的第二搬送室；将所述第一搬送室与所述第二搬送室连结的、能够减压的预备室；和分别执行所述预备室的保养制程及所述处理室的生产制程的控制部，在所述构成中，所述控制部若在执行所述保养制程的过程中收到执行所述生产制程的指示，则暂时停止所述保养制程并优先执行所述生产制程，在所述生产制程结束后，继续执行暂时停止了的所述保养制程。

公开(公告)号：CN108780753A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780015489.1

申请日：2017-01-25

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 油谷幸则 ,  桧山真

IPC: H01L21/31 ,  G01K1/14 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: G01K1/14 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简便地提高基板的温度测定精度的技术。提供一种基板处理装置，具备：基板载置部，其具有载置面且在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于载置面的基板进行加热；和能够弹性的温度传感器，其顶端构成温度检测部，温度传感器从载置面之下延伸至载置面之上，顶端从载置面突出。另外，提供一种半导体器件的制造方法，具备：将基板载置于基板载置部的载置面并使突出到载置面上的温度传感器的顶端与基板背面接触、以顶端与载置面相比被下压到下方的方式使温度传感器弹性变形的工序；对基板进行加热的工序；和使用温度传感器对基板的温度进行测定的工序。

公开(公告)号：CN108281351A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711457226.4

申请日：2014-10-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·布兰德尔 ,  M·H·佩里

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L27/088 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。

公开(公告)号：CN108074845A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711146022.9

申请日：2017-11-17

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丸林哲也 ,  村田慧 ,  高木康佑 ,  平野敦士 ,  山田清明 ,  森川晴夫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，尤其提供增大晶圆面内的气体流速的结构。提供具备反应管的结构，该反应管构成对基板进行处理的处理室，且具有：气体导入部，其设置在反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成反应管侧面的一端，使处理气体暂时滞留并且设置有向处理室供给处理气体的开口部；连结部，其设置在气体导入部与缓冲部之间，并从气体导入部连通至缓冲部；以及气体排放部，其构成反应管侧面的另一端的下端部，并从处理室排出处理气体，反应管构成为从开口部向处理室导入并经由处理室而从气体排放部排出处理气体，其中开口部设置在从缓冲部的上端部到与气体排放部对置的位置。

公开(公告)号：CN107211521B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580074957.3

申请日：2015-02-20

Applicant: 株式会社京三制作所

Inventor： 让原逸男 ,  小玉真一 ,  安达俊幸

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H02M5/08 ,  H02M7/12 ,  C23C14/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H02M5/08 ,  H02M5/42 ,  H02M7/12 ,  H05H2001/4682

Abstract: 在输出互为反相的交流电压的高频电源装置中，将高频输出电路的输出分压成两个输出的结构中，无法将高电压与低电压的相异的电压值进行与需求相对应的切换，输出端的电压会降低至高频输出电路的输出电压的1/2的峰值。在高频电源装置中，切换将由分压电路进行分压后的高频电压分压为相对于接地电位互为反相的交流电压的分压电路的连接状态来改变两个输出端电压的电压比例，从而切换高电压和低电压并输出。通过切换分压电路的连接状态，能够选择输出高电压和低电压的相异的电压值，在高频电源装置的输出端，通过在高电压输出时选择高电压来输出，抑制源自高频输出电路的输出电压的降低。

公开(公告)号：CN107924825A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082464.4

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 汤浅和宏 ,  道田典明

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供能进行均匀的衬底处理的技术。提供的技术具有：将衬底备于处理室中的工序，衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将衬底升温至第一温度的工序；在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理衬底的第一处理工序；在第一处理工序后，通过从加热装置供给的电磁波而将衬底从第一温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；及在维持第二温度的同时，在比第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理衬底的第二处理工序。

公开(公告)号：CN104659046B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410683088.1

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  吴政宪 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种器件包括第一半导体层，和位于第一半导体层上方的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料。半导体区位于第二半导体层上面并且与第二半导体层接触，其中，半导体区的底面与第二半导体层的第一顶面接触。半导体区和第二半导体层包括不同的材料。半导体区的底面具有与第二半导体层的(551)表面平面接触的倾斜部分。本发明涉及具有减小的泄漏的CMOS器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103796413B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201210431839.1

申请日：2012-11-01

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 许颂临 ,  石刚 ,  倪图强

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子反应器，其中，包括封闭壳体，其中所述封闭壳体的至少部分顶板由绝缘材料制成的绝缘材料窗。基片支撑装置，设置于所述封闭壳体中的所述绝缘材料窗的下方。射频功率发射装置位于所述绝缘材料窗上方，以发射射频功率穿过所述绝缘材料窗进入到所述封闭壳体中。多个气体注入器均匀分布在所述基片支撑装置上方，以提供处理气体到所述封闭壳体。环形挡板，设置于所述封闭壳体内以及所述基片支撑装置的上方和所述多个气体注入器的下方，以引导所述处理气体的流动。