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公开(公告)号：CN104599971B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410588799.0
申请日：2014-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/265 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L27/088 , H01L29/407 , H01L29/42376 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。
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公开(公告)号：CN108281351B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201711457226.4
申请日：2014-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/40
Abstract: 生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。
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公开(公告)号：CN104599971A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410588799.0
申请日：2014-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/265 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L27/088 , H01L29/407 , H01L29/42376 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/66477 , H01L29/06 , H01L29/66325 , H01L29/7393 , H01L29/78
Abstract: 生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。
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公开(公告)号：CN108281351A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711457226.4
申请日：2014-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/265 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L27/088 , H01L29/407 , H01L29/42376 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。
