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公开(公告)号：CN104733301B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410791956.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L29/0661 , H01L21/2686 , H01L21/302 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/78
Abstract: 用于制造具有斜切边缘终止的半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括形成从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。沟槽具有相对于半导体主体的垂直方向斜切的至少一个侧壁。该方法还包括移除至少在沟槽的底部和与半导体主体的第一表面相对的第二表面之间的半导体主体的材料。
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公开(公告)号：CN108538740A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810159187.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L22/12 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/38 , B23K26/53 , B23K31/125 , B23K2103/56 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B33/02 , H01L21/0201 , H01L21/2686 , H01L22/24
Abstract: 提供半导体锭的检查方法、检查装置和激光加工装置。半导体锭的检查方法具有：分离起点形成步骤，将对于半导体锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距离上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度并且使聚光点与半导体锭相对地移动而对上表面照射激光束，形成由与上表面平行的改质层和从改质层伸长的裂纹构成的分离起点；照射步骤，从光源按照相对于上表面规定的入射角对半导体锭的上表面照射光；拍摄步骤，对利用在照射步骤中对半导体锭的上表面照射的光的反射光而形成的投影像进行拍摄而形成拍摄图像，在投影像中强调了受改质层和裂纹影响而产生在上表面的凹凸；和判定步骤，对所形成的拍摄图像和预先设定的条件进行比较而判定改质层和裂纹的状态。
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公开(公告)号：CN107275185A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710271580.1
申请日：2017-04-24
Applicant: 昆山国显光电有限公司
Inventor： 费国东
IPC: H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/67 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/2686 , H01L21/02354 , H01L21/67115 , H01L27/1259
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，所述的激光退火装置，利用传感器测量非晶硅薄膜的厚度，第一控制器根据传感器获取的数据生成控制信息，反馈给激光控制装置,向基板表面的非晶硅薄膜发射参数优化后的激光束，使非晶硅薄膜结晶化为性能均一的多晶硅薄膜。本发明还提供了一种激光退火工艺，控制回路短，结晶效率高，能够实现高效率生产。
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公开(公告)号：CN106328560A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610308988.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B21/06 , B24B21/12 , B24B37/04 , B24B37/11 , H01L21/02024 , H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L21/68785 , H01L21/67092 , B24B37/042 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够向工件的被加工面均匀地照射紫外线而生成均匀的氧化物并将工件加工为平滑的平面的加工装置。加工装置具备：使工件绕旋转轴旋转的旋转工作台；以与旋转工作台的旋转轴正交的轴进行旋转的辊形状构件；在旋转工作台的旋转轴的方向上进行驱动以使得辊形状构件与工件相互接触的垂直驱动部；向辊形状构件与工件之间照射紫外线的紫外线照射源；被供给至辊形状构件与工件之间的研磨材料；以及被供给至辊形状构件与工件之间且使来自紫外线照射源的紫外线散射的光散射体。
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公开(公告)号：CN106128967A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610283766.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/324 , H01L21/268 , H01L27/085
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L21/263 , H01L21/2636 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/268 , H01L21/2686 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/34 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L27/085
Abstract: 一种在半导体晶片(105)中制造半导体装置的方法包括在所述半导体晶片中形成电荷补偿装置结构(111，112)。测量与所述电荷补偿装置结构(111，112)相关的电特性(αi)。基于测得的电特性(αi)调节质子辐射参数和退火参数中的至少一个。基于调节后的质子辐射参数和退火参数中的至少一个以质子照射所述半导体晶片(105)并对所述半导体晶片(105)退火。基于测得的电特性(αi)针对所述半导体晶片(105)上的不同位置调节光子束辐射参数。基于所述光子束辐射参数以光子束(137)在所述半导体晶片的不同位置处照射所述半导体晶片(105)。
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公开(公告)号：CN105830202A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480068815.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/2636 , H01L21/2686
Abstract: 描述用于热处理半导体基板的方法与设备。固态辐射发射器用以提供热处理能量场。第二固态辐射发射器用以提供活化能量场。将热处理能量及活化能量导向基板的处理区域，在所述处理区域活化能量增加基板中热处理辐射的吸收，造成由活化能量所照射的区域中基板的热处理。
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公开(公告)号：CN102159330B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980136347.6
申请日：2009-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/67207
Abstract: 一种用于固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的系统，其中，低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个处理模块，所述处理模块构造为将低k电介质膜暴露于电磁(EM)辐射，例如红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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公开(公告)号：CN103392387A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201280010392.9
申请日：2012-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05K3/22 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H05K3/10 , H01L21/288
CPC classification number: B05D7/02 , H01B19/04 , H01L21/02 , H01L21/2686 , H01L21/6715 , H01L21/6776 , H01L51/0026 , H01L51/0097 , H05K3/10 , H05K3/1283 , H05K2203/102 , Y02E10/549
Abstract: 在塑料基板上涂布包含膜成分的涂布组合物而形成涂布膜，对该涂布膜照射电磁波而将涂布膜干燥和/或改性，形成膜。作为膜，可以举出导电体膜、半导体膜、电介质膜，在形成导电体膜时使用包含金属纳米颗粒的涂布组合物，在形成半导体膜时使用有机半导体材料作为涂布组合物，在形成电介质膜时使用有机电介质材料作为涂布组合物。
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公开(公告)号：CN102227802A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147545.2
申请日：2009-11-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括要被热处理的被热处理部的底板基板进行热处理来制造半导体基板的方法，包括：在底板基板上设置吸收电磁波而产生热、且对被热处理部选择性地加热的被加热部的步骤；对基板照射电磁波的步骤，和通过由于被加热部吸收电磁波而产生的热，降低被热处理部的晶格缺陷密度的步骤。
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公开(公告)号：CN101410991B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680048138.2
申请日：2006-12-19
Applicant: 霆激技术有限公司
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/2686 , H01L21/28575
Abstract: 一种在衬底上制造半导体器件的工艺，该半导体器件包括至少一个金属层。该工艺包括，移除该衬底并施加一第二衬底；以及通过在该至少一个金属层上应用电磁辐射束来退火该至少一个金属层。
