公开(公告)号：CN111223869A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910869953.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一宇 ,  安相基 ,  表炫坤 ,  金益秀 ,  朴嬉淑 ,  任智芸

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/1157

Abstract: 在制造竖直存储器装置的方法中，包括氮化物的第一牺牲层形成在衬底上。在第一牺牲层上形成模具，模具包括交替且重复堆叠的绝缘层和第二牺牲层。绝缘层和第二牺牲层分别包括第一氧化物和第二氧化物。穿过模具和第一牺牲层形成沟道。穿过模具和第一牺牲层形成开口以暴露出衬底的上表面。通过开口去除第一牺牲层，以形成第一间隙。形成沟道连接图案以填充第一间隙。将第二牺牲层替换为栅电极。

公开(公告)号：CN101567382B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910135403.6

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN103633093A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN103178098A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310054345.0

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN101499488A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W－Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W－Ni合金薄层。该W－Ni合金薄层中Ni的重量在该W－Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN103633093B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN103035646A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210367959.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  姜晚锡 ,  朴嬉淑 ,  孙雄喜

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供了包括含金属导线的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，其中具有沟槽；含金属阻挡层，沿沟槽的内壁延伸并定义沟槽中的布线空间，该布线空间具有沿第一方向的第一宽度；以及含金属导线，在含金属阻挡层上且在布线空间中，并包括具有沿第一方向的大约第一宽度的颗粒直径的至少一个金属颗粒。

公开(公告)号：CN101499488B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN109817620B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811381520.6

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  安商熏 ,  韩奎熙 ,  朴在花 ,  朴嬉淑

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。

公开(公告)号：CN109817620A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811381520.6

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  安商熏 ,  韩奎熙 ,  朴在花 ,  朴嬉淑

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。